MAX662A
_______________详细地 描述
运行 principle
这 max662a 提供 一个 管制 12v 输出 电压
在 30ma 从 一个 5v ±5% 电源 供应, 制造 它 完美的
为 flash 可擦可编程只读存储器 程序编制 产品. 它 使用
内部的 承担 pumps 和 外部 电容 至 gen-
erate +12v, eliminating inductors. 规章制度 是 provid-
ed 用 一个 脉冲波-skipping scheme 那 monitors 这
输出 电压 水平的 和 转变 在 这 承担 pumps
当 这 输出 电压 begins 至 droop.
图示 1 显示 一个 simplified 块 图解 的 这
max662a. 当 这 s1 switches 是 关闭 和 这
s2 switches 是 打开, 电容 c1 和 c2 是
charged 向上 至 v
CC
. 这 s1 switches 是 然后 opened
和 这 s2 switches 是 关闭 所以 那 电容 c1
和 c2 是 连接 在 序列 在 v
CC
和
V
输出
. 这个 执行 一个 电压 tripling 函数. 一个 脉冲波-
skipping 反馈 scheme adjusts 这 输出 电压
至 12v ±5%. 这 效率 的 这 max662a 和 v
CC
=
5v 和 i
输出
= 30ma 是 典型地 76%. 看 这
效率 vs. 加载 电流 图表 在 这
典型
运行 特性
.
在 一个 振荡器 循环, 活力 是 transferred 从
这 承担-打气 电容 至 这 输出 过滤 capaci-
tor 和 这 加载. 这 号码 的 循环 在里面 一个 给
时间 框架 增加 作 这 加载 电流 增加 或者
作 这 输入 供应 电压 减少. 在 这 限制的
情况, 这 承担 pumps 运作 continuously, 和 这
振荡器 频率 是 nominally 500khz.
关闭 模式
这 max662a enters 关闭 模式 当 shdn 是 一个
逻辑 高. shdn 是 一个 ttl/cmos-兼容 输入 sig-
nal 那 是 内部 牵引的 向上 至 v
CC
. 在 关闭
模式, 这 承担-打气 切换 action 是 halted 和
V
在
是 连接 至 v
输出
通过 一个 1k
Ω
转变. 当
进去 关闭, v
输出
declines 至 v
CC
在 典型地
13ms. 连接 shdn 至 地面 为 正常的 运作.
当 v
CC
= 5v, 它 takes 典型地 400µs 为 这 输出
至 reach 12v 之后 shdn 变得 低 (图示 2).
__________产品 信息
兼容性 和 max662
这 max662a 是 一个 100%-兼容 upgrade 的 这
max662. 这 max662a 做 不 需要 电容 c3,
虽然 它的 存在 做 不 影响 效能.
电容 选择
承担-打气 电容, c1 和 c2
这 电容 值 的 这 承担-打气 电容
c1 和 c2 是 核心的. 使用 陶瓷的 或者 tantalum capaci-
tors 在 这 0.22µf 至 1.0µf 范围. 为 产品 requir-
ing 运作 在 扩展 和/或者 军队 温度
范围, 使用 1.0µf tantalum 电容 为 c1 和 c2
(图示 3b).
输入 和 输出 电容, c4 和 c5
这 类型 的 输入 绕过 电容 (c4) 和 输出 过滤
电容 (c5) affects 效能. tantalums, ceramics
或者 铝 electrolytics 是 建议的. 为 smallest 大小,
使用 sprague 595d475x9016a7 表面-挂载 电容,
这个 是 3.51mm x 1.81mm. 为 最低 波纹, 使用 低-
等效串联电阻 通过-孔 陶瓷的 或者 tantalum 电容. 为 低-
est 费用, 使用 铝 electrolytic 或者 tantalum 电容.
图示 3a 显示 这 组件 值 为 恰当的 opera-
tion 在 这 商业的 温度 范围 使用 迷你-
mum 板 空间. 这 输入 绕过 电容 (c4) 和
输出 过滤 电容 (c5) 应当 两个都 是 在 least 4.7µf
当 使用 sprague’s 小型的 595d 序列 的 tantalum
碎片 电容. 图示 3b 显示 这 建议的 混合-
nent 值 为 产品 在 扩展 和/或者 mili-
tary 温度 范围.
这 值 的 c4 和 c5 能 是 减少 至 2µf 和
1µf, 各自, 当 使用 陶瓷的 电容. 如果
使用 铝 electrolytics, choose 电容 值
的 10µf 或者 大 为 c4 和 c5. 便条 那 作 v
CC
增加 在之上 5v 和 这 输出 电流 减少,
这 数量 的 波纹 在 v
输出
增加 预定的 至 这 slower
振荡器 频率 联合的 和 这 高等级的 输入 volt-
age. 增加 这 输入 和 输出 绕过 电容
至 减少 输出 波纹.
表格 1 lists 各种各样的 电容 供应者.
+12v, 30ma flash 记忆
程序编制 供应
4 _______________________________________________________________________________________
图示 2. max662a exiting 关闭
电路 的 图示 3, v
CC
= 5v, i
输出
= 200µa
5V
0V
12V
5V
SHDN
V
输出
200µs/div
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