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fn9159.4
july 25, 2005
这 选择 mosfets. 这 总的 门 驱动 电源 losses
预定的 至 这 门 承担 的 mosfets 和 这 驱动器’s 内部的
电路系统 和 它们的 相应的 平均 驱动器 电流 能
是 estimated 和 equations 2 和 3, 各自,
在哪里 这 门 承担 (q
G1
和 q
G2
) 是 定义 在 一个
particular 门 至 源 电压 (v
GS1
和 v
GS2
) 在 这
相应的 场效应晶体管 数据手册; i
Q
是 这 驱动器’s 总的
安静的 电流 和 非 load 在 两个都 驱动 输出; n
Q1
和 n
Q2
是 号码 的 upper 和 更小的 mosfets,
各自; uvcc 和 lvcc 是 这 驱动 电压 为
两个都 upper 和 更小的 fets, 各自. 这 i
Q*
VCC
产品 是 这 安静的 power 的 这 驱动器 没有
电容的 加载 和 是 典型地 116mw 在 300khz.
这 总的 门 驱动 电源 losses 是 dissipated among 这
resistive 组件 along the 转变 path. 这 驱动
阻抗 dissipates 一个 portion 的 这 总的 门 驱动 电源
losses, 这 rest 将 是 dissipated 用 这 外部 门
电阻器 (r
G1
和 r
G2
) 和 这 内部的 门 电阻器
(r
GI1
和 r
GI2
) 的 mosfets. 计算数量 3 和 4 显示 这
典型 upper 和 更小的 门 驱动 转变-在 转变 path.
这 电源 消耗 在 这 驱动器 能 是 roughly
estimated 作:
布局 仔细考虑
为 热温 spreading, 放置 铜 underneath 这 ic whether
它 有 一个 exposed 垫子 或者 不. 这 铜 范围 能 是
扩展 在之外 这 bottom 范围 的 这 ic 和/或者
连接 至 buried 铜 plane(s) 和 热的 vias. 这个
结合体 的 vias 为 vertical 热温 escape, 扩展
铜 平面, 和 buried 平面 为 热温 spreading 准许
这 ic 至 达到 它的 全部 热的 潜在的.
放置 各自 频道 电源 组件 作 关闭 至 各自
其它 作 可能 至 减少 pcb 铜 losses 和 pcb
parasitics: shortest 距离 在 drains 的 upper fets
和 来源 的 更小的 fets; shortest 距离 在
drains 的 更小的 fets 和 这 电源 地面. 因此, 小
amplitudes 的 积极的 和 负的 ringing 是 在 这
切换 edges 的 这 阶段node. 不管怎样, 一些 空间
在 在 这 电源 组件 是 必需的 为 好的
airflow. 这 查出 从 这 驱动器 至 这 fets 应当 是
保持 短的 和 宽 至 减少 这 电感 的 这 查出
和 至 promote clean 驱动 信号.
P
qg_tot
P
qg_q1
P
qg_q2
I
Q
VCC
•
++=
(eq. 2)
P
qg_q1
Q
G1
UVCC
2
•
V
GS1
---------------------------------------
F
SW
•
N
Q1
•
=
P
qg_q2
Q
G2
LVCC
2
•
V
GS2
--------------------------------------
F
SW
•
N
Q2
•
=
I
DR
Q
G1
UVCC N
Q1
••
V
GS1
------------------------------------------------------
Q
G2
LVCC N
Q2
••
V
GS2
-----------------------------------------------------+
F
SW
I
Q
+
•
=
(eq. 3)
P
DR
P
dr_向上
P
DR_低
I
Q
VCC
•
++=
(eq. 4)
P
dr_向上
R
HI1
R
HI1
R
EXT1
+
--------------------------------------
R
LO1
R
LO1
R
EXT1
+
----------------------------------------+
P
qg_q1
2
---------------------
•
=
P
DR_低
R
HI2
R
HI2
R
EXT2
+
--------------------------------------
R
LO2
R
LO2
R
EXT2
+
----------------------------------------+
P
qg_q2
2
---------------------
•
=
R
EXT1
R
G1
R
GI1
N
Q1
-------------+=
R
EXT2
R
G2
R
GI2
N
Q2
-------------+=
图示 3. 典型 upper-门 驱动 转变-在 path
图示 4. 典型 更小的-门 驱动 转变-在 path
Q1
D
S
G
R
GI1
R
G1
激励
R
HI1
C
DS
C
GS
C
GD
R
LO1
阶段
UVCC
LVCC
Q2
D
S
G
R
GI2
R
G2
R
HI2
C
DS
C
GS
C
GD
R
LO2
isl6612a, isl6613a
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