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资料编号:355921
 
资料名称:GM71V18163C
 
文件大小: 113.75K
   
说明
 
介绍:
1,048,576 WORDS x 16 BIT CMOS DYNAMIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
GM71VS18163CL
GM71V18163C
rev 0.1 / apr 01
电容
(vCC= 3.3v
+/-
0.3v, t一个= 25
C
)
标识 参数 便条
CI1
CI2
Ci/o
输入 电容 (地址)
输入 电容 (clocks)
输出 电容 (数据-在/输出)
1
1
1, 2
单位
pF
最大值
5
7
7
最小值
-
-
-
便条: 1. 电容 量过的 和 boonton 计量表 或者 有效的 电容 测量 方法.
2. ucas 和 lcas = vIH至 使不能运转 d输出.
交流 特性
(vCC= 3.3v+/-0.3v, t一个= 0 ~+70c, 便条 1, 2, 18, 19, 20)
测试 情况
输入 上升 和 下降 时间 : 2 ns 输出 定时 涉及 水平 : 0.8v, 2.0v
输入 水平 : vIL= 0v, vIH= 3v 输出 加载 : 1ttl 门 + cL(100pF)
输入 定时 涉及 水平 : 0.8v, 2.0v (包含 scope 和 jig)
pF
pF
读, 写, 读-modify-写 和 refresh 循环
(一般 参数)
标识 参数
便条
最大值
单位
最小值 最大值最小值 最大值最小值
tRC
随机的 读 或者 写 循环 时间 84 - 104 - 124 -
tRP
RASPrecharge时间 30 - 40 - 50 -
tRAS ras 脉冲波 宽度 50 10,000
60
10,000
70
10,000
tCAS cas 脉冲波 宽度 8 10,000 10,000 10,00010 13
tASR 行 地址 设置 向上 时间 0 - - -0 0
tRAH 行 地址 支撑 时间 8 - - -10 10
tASC column 地址 设置-向上 时间 0 - - -0 0
tCAH column 地址 支撑 时间 8 - - -10 13
tRCD
ras 至 cas 延迟 时间 12 37 45 5214 14 3
tRAD ras 至 column 地址 延迟 时间 10 25 30 3512 12 4
tRSH ras 支撑 时间 10 - - -13 13
tCSH
cas 支撑 时间 35 - - -40 45
tCRP
cas 至 rasPrecharge时间 5 - - -5 5
tT 转变 时间 (上升 和 下降) 2 50 50 502 2 7
tDZO oe 延迟 时间 从 d 0 - - -0 0
tDZC
cas 延迟 时间 从 d 0 - - -0 0
gm71v(s)18163
c/cl-5
oe 至 d延迟 时间 13 - - -15 18 5
6
6
tCP
CASPrecharge时间 8 - 10 - 13 -
tODD
gm71v(s)18163
c/cl-6
gm71v(s)18163
c/cl-7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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ns
ns
ns
ns
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ns
ns
ns
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