hm658512a 序列
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在 这 终止 的 自 refresh, refresh 重置 时间 (t
RFS
) 是 必需的 至 重置 这 内部的 自 refresh 运作 的
这 内存. 在 t
RFS
,
CE
和
OE
/
RFSH
必须 是 保持 高. 如果 自动 refresh 跟随 自 refresh, 低
转变 的
OE
/
RFSH
在 这 beginning 的 自动 refresh 必须 不 出现 在 t
RFS
时期.
注释 在 使用 这 hm658512a
自从 pseudo 静态的 内存 组成 的 动态 电路 像 dram, 它的 时钟 管脚 是 更多 噪音-敏感的
比 常规的 sram’s.
(1) 如果 一个 短的
CE
脉冲波 的 一个 宽度 较少 比 t
CE
最小值 是 应用 至 内存, 一个 incomplete 读 occurs 和
贮存 数据 将 是 destroyed. 制造 确信 那
CE
低 脉冲 的 较少 比 t
CE
最小值 是 inhibited. 便条
那 一个 10 ns
CE
低 脉冲波 将 sometimes 出现 owing 至 这 门 延迟 在 这 板 如果 这
CE
信号 是
发生 用 这 解码 的 高等级的 地址 信号 在 这 板. 避免 这些 短的 脉冲.
(2)
OE
/
RFSH
工作 作 refresh 控制 在 备用物品 模式. 一个 短的
OE
/
RFSH
低 脉冲波 将 导致 一个
incomplete refresh 那 将 destroy 数据. 制造 确信 那
OE
/
RFSH
低 脉冲波 的 较少 比 t
FAP
最小值 是
也 inhibited.
(3) t
OHC
和 t
OCD
是 这 定时 规格 这个 distinguish 这
OE
函数 的
OE
/
RFSH
从 这
RFSH
函数. 这 t
OHC
和 t
OCD
规格 必须 是 strictly maintained.
(4) 开始 这 hm658512a 运行 用 executing 在 least 第八 最初的 循环 (dummy 循环) 在 least 100
µs 之后 这 电源 电压 reaches 4.5 v-5.5 v 之后 电源-在.
函数 表格
CE OE
/
RFSH 我们
i/o 管脚 模式
L L H Dout 读
L X L 高-z 写
L H H 高-z —
H L X 高-z Refresh
H H X 高-z 备用物品
便条: x 意思 h 或者 l.
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