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资料编号:358507
 
资料名称:GS71024GT-10
 
文件大小: 278.71K
   
说明
 
介绍:
64K x 24 1.5Mb Asynchronous SRAM
 
 


: 点此下载
 
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gs71024t/u
64k x 24
1.5mb 异步的 sram
8, 9, 10, 12, 15 ns
3.3 v v
DD
中心 v
DD
和 v
SS
tqfp, fp-bga
商业的 温度
工业的 温度
规格 cited 是 主题 至 改变 没有 注意. 为 最新的 必备资料 看 http://www.gsitechnology.com.
特性
• 快 进入 时间: 8, 9, 10, 12, 15 ns
• cmos 低 电源 运作: 190/170/160/130/110 毫安 在
最小 循环 时间.
• 单独的 3.3 v ± 0.3 v 电源 供应
• 所有 输入 和 输出 是 ttl-兼容
• 全部地 静态的 运作
• 工业的 temperature 选项: –40 至 85°c
• 包装
t: 100-管脚 tqfp 包装
u: 6 mm x 8 mm fine 程度 球 grid 排列
gt: 铅-自由 100-管脚 tqfp 有
描述
这 gs71024 是 一个 高 速 cmos 静态的 内存 有组织的 作
65,536 words 用 24 位. 静态的 设计 排除 这 需要 为
外部 clocks 或者 定时 strobes. 这 gs71024 运作 在 一个
单独的 3.3 v 电源 供应, 和 所有 输入 和 输出 是 ttl-
兼容. 这 gs71024 是 有 在 一个 6 mm x 8 mm fine
程度 bga 包装, 作 好 作 在 一个 100-管脚 tqfp 包装.
fine 程度 bga bump 配置
6 mm x 8 mm, 0.75 mm bump 程度
顶 视图
块 图解
123456
一个
DQ 一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
DQ
B
DQ DQ CE2 我们 DQ DQ
C
DQ DQ CE1 OE DQ DQ
D
V
SS
DQ 一个
5
一个
4
DQ
V
DD
E
V
DD
DQ 一个
7
一个
6
DQ
V
SS
F
DQ DQ 一个
9
一个
8
DQ DQ
G
DQ DQ 一个
11
一个
10
DQ DQ
H
DQ 一个
15
一个
14
一个
13
一个
12
DQ
管脚 描述
标识 描述 标识 描述
一个
0
至 一个
15
地址 输入 DQ
1
至 dq
24
数据 输入/输出
x/y
vector 输入 v/s 地址 多路调制器 控制
我们
写 使能 输入 OE 输出 使能 输入
CE1
, ce2 碎片 使能 输入
V
DD
+3.3 v 电源 供应
V
SS
地面
记忆 排列
1024 x 1536
解码器
Column
解码器
地址
输入
控制
i/o 缓存区
一个
0
一个
15
CE1
我们
OE
DQ
1
DQ
24
0
1
Q
一个
14
x/y
v/s
CE2
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