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资料编号:358518
 
资料名称:GS71024T-10I
 
文件大小: 278.71K
   
说明
 
介绍:
64K x 24 1.5Mb Asynchronous SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
gs71024t/u
规格 cited 是 主题 至 改变 没有 注意. 为 最新的 必备资料 看 http://www.gsitechnology.com.
注释:
1. 输入 越过 电压 应当 是 较少 比 v
DD
+ 2 v 和 不 超过 20 ns.
2. 输入 undershoot 电压 应当 是 更好 比 –2 v 和 不 超过 20 ns.
注释:
1. 测试 在 t
一个
= 25°c, f = 1 mhz
2. 这些 参数 是 抽样 和 是 不 100% 测试
推荐 operating 情况
参数 标识 最小 典型 最大 单位
供应 电压 为 -10/12/15
V
DD
3.0 3.3 3.6 V
供应 电压 为 -8
V
DD
3.135 3.3 3.6 V
输入 高 电压
V
IH
2.0
V
DD
+ 0.3
V
输入 低 电压
V
IL
–0.3 0.8 V
包围的 温度,
商业的 范围
T
交流
0—70
o
C
T
Ai
–40 85
o
C
电容
参数 标识 测试 情况 最大 单位
输入 电容
C
V
= 0 v
5pF
i/o 电容
C
输出
V
输出
= 0 v
7pF
直流 i/o 管脚 特性
参数 标识 测试 情况 最小 最大
I
IL
V
= 0 至 v
DD
–1uA 1uA
I
OL
输出 高 z, v
输出
= 0
至 v
DD
–1uA 1uA
V
OH
I
OH
= –4ma
2.4
输出 低 电压
V
OL
I
OL
= +4ma
—0.4 v
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