TLE4276GV50_集成电路资料查询网

半导体 组 9 1998-11-01
tle 4276
漏出 电压
V
DR
相比
输出 电流
I
Q
电流 消耗量
I
q
相比
输出 电流
I
Q
(高 加载)
最大值 输出 电流
I
Q
相比
输入 电压
V
I
电流 消耗量
I
q
相比
输出 电流
I
Q
(低 加载)
0
0 100
400
600
200
V
dr
mV
400200
Ι
Q
毫安
AED01962
j
T
= 25   c
V
dr
=
qnom-0.1 v
V
j
T
= 125   c
300
100
300
0
0 200
40
60
20
毫安
600400
Ι
Q
毫安
AED01964
V
Ι
q
Ι
= 13.5 v
T
= 25  c
j
100
300
10
30
20010
0
毫安
800
Q
Ι
= 25   c
T
j
50
V
30
40
V
Ι
AED01963
200
400
600
= 0 v
V
Q
30
0
01020
毫安
40 60
Q
Ι
0.1
0.2
0.3
毫安
0.6
0.4
Ι
q
AED01965
T
V
= 25  c
= 13.5 v
Ι
j
典型 效能 特性 (v50, v85 和 v10):

标　题:
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半导体组 9 1998-11-01 tle 4276 漏出电压 V DR 相比输出电流 I Q 电流消耗量 I q 相比输出电流 I Q (高加载) 最大值输出电流 I Q 相比输入电压 V I 电流消耗量 I q 相比输出电流 I Q (低加载) 0 0 100 400 600 200 V dr mV 400200 Ι Q 毫安 AED01962 j T = 25 c V dr = qnom-0.1 v V j T = 125 c 300 100 300 0 0 200 40 60 20 毫安 600400 Ι Q 毫安 AED01964 V Ι q Ι = 13.5 v T = 25 c j 100 300 10 30 20010 0 毫安 800 Q Ι = 25 c T j 50 V 30 40 V Ι AED01963 200 400 600 = 0 v V Q 30 0 01020 毫安 40 60 Q Ι 0.1 0.2 0.3 毫安 0.6 0.4 Ι q AED01965 T V = 25 c = 13.5 v Ι j 典型效能特性 (v50, v85 和 v10):

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