TLE4276GV85_集成电路资料查询网

TLE 4276
数据 薄板 版本 2.2 12 2000-10-11
输出 电压
V
Q
相比
温度
T
j
低 电压 行为
电流 消耗量
I
q
相比
输入 电压
V
I
高 电压 行为
AED03081
-40 04080120
˚
C 160
4.8
j
T
Q
V
5.2
V
V
I
= 13.5 v
4.9
5.0
5.1
AED01968
0 2468 V10
0
Q
V
2
4
6
V
V
I
=
5
3
1
Q
V
T
j
= 25
˚
C
L
R
= 20
Ω
I
V
V
Q
0
0
20
30
10
毫安
50
AED01967
q
Ι
10 20
30
V
R
L
=
20
Ω
V
Ι
T
j
= 25  c
AED03082
-50
-2
I
V
I
I
T
= 25
˚
C
L
R
= 6.8 k
-25 0 25
50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
毫安
V
Ω
j
典型 效能 特性 为 v50:

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TLE 4276 数据薄板版本 2.2 12 2000-10-11 输出电压 V Q 相比温度 T j 低电压行为电流消耗量 I q 相比输入电压 V I 高电压行为 AED03081 -40 04080120 ˚ C 160 4.8 j T Q V 5.2 V V I = 13.5 v 4.9 5.0 5.1 AED01968 0 2468 V10 0 Q V 2 4 6 V V I = 5 3 1 Q V T j = 25 ˚ C L R = 20 Ω I V V Q 0 0 20 30 10 毫安 50 AED01967 q Ι 10 20 30 V R L = 20 Ω V Ι T j = 25 c AED03082 -50 -2 I V I I T = 25 ˚ C L R = 6.8 k -25 0 25 50 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 毫安 V Ω j 典型效能特性为 v50:

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