绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
反转 电流 15 毫安
向前 电流 10 毫安
存储 温度 −60˚C 至 +150˚C
运行 温度 范围 (便条 2)
LM136 −55˚C 至 +150˚C
LM236 −25˚C 至 +85˚C
LM336 0˚C 至 +70˚C
焊接 信息
至-92 包装 (10 秒.) 260˚C
至-46 包装 (10 秒.) 300˚C
所以 包装
Vapor 阶段 (60 秒.) 215˚C
Infrared (15 秒.) 220˚C
看 一个-450 “Surface 挂载 方法 和 它们的 效应
在 产品 Reliability” (附录 d) 为 其它 方法 的
焊接 表面 挂载 设备.
电的 特性
(便条 3)
lm136a-2.5/lm236a-2.5 lm336b-2.5
参数 情况 lm136-2.5/lm236-2.5 lm336-2.5 单位
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
反转 损坏 电压 T
一个
=
25˚c, I
R
=
1mA
lm136, lm236, LM336 2.440 2.490 2.540 2.390 2.490 2.590 V
lm136a, lm236a, LM336B 2.465 2.490 2.515 2.440 2.490 2.540 V
反转 损坏 改变 T
一个
=
25˚c, 2.6 6 2.6 10 mV
和 电流 400 µA
≤
I
R
≤
10 毫安
反转 动态 阻抗 T
一个
=
25˚c, I
R
=
1 毫安, f
=
100 Hz 0.2 0.6 0.2 1
Ω
温度 稳固 V
R
调整 至 2.490v
(便条 4) I
R
=
1 毫安,
图示 2
0˚C
≤
T
一个
≤
70˚C (lm336) 1.8 6 mV
−25˚C
≤
T
一个
≤
+85˚C 3.5 9 mV
(lm236h, lm236z)
−25˚C
≤
T
一个
≤
+85˚C (lm236m) 7.5 18 mV
−55˚C
≤
T
一个
≤
+125˚C (lm136) 12 18 mV
反转 损坏 改变 400 µA
≤
I
R
≤
10 毫安 3 10 3 12 mV
和 电流
反转 动态 阻抗 I
R
=
1 毫安 0.4 1 0.4 1.4
Ω
长 期 稳固 T
一个
=
25˚C
±
0.1˚c, I
R
=
1 毫安, 20 20 ppm
t
=
1000 hrs
便条 1:
绝对 最大 比率 表明 限制 在之外 这个 损坏 至 这 设备 将 出现. 电的 规格 做 不 应用 当 运行 这 设备
在之外 它的 指定 运行 情况.
便条 2:
为 提升 温度 运作, T
j
最大值 是:
LM136 150˚C
LM236 125˚C
LM336 100˚C
热的 阻抗 至-92 至-46 所以-8
θ
ja
(接合面 至 包围的) 180˚c/w (0.4" leads) 440˚c/w 165˚c/w
170˚c/w (0.125" 含铅的)
θ
ja
(接合面 至 情况) n/一个 80˚c/w n/一个
便条 3:
除非 否则 指定, 这 lm136-2.5 是 指定 从 −55˚C
≤
T
一个
≤
+125˚c, 这 lm236-2.5 从 −25˚C
≤
T
一个
≤
+85˚C 和 这 lm336-2.5 从 0˚C
≤
T
一个
≤
+70˚c.
便条 4:
温度 稳固 为 这 LM336 和 LM236 家族 是 有保证的 用 设计. 设计 限制 是 有保证的 (但是 不 100
%
生产 测试) 在 这 在-
dicated 温度 和 供应 电压 范围. 这些 限制 是 不 使用 至 计算 优于 质量 水平. 稳固 是 定义 作 这 最大 改变 在 V
ref
从
25˚C 至 T
一个
(最小值) 或者 T
一个
(最大值).
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