IXFH26N60_集成电路资料查询网

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IXFH26N60 IXFK28N60
IXFT26N60
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25

c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
V
DS
= 10 v; i
D
= 0.5 • i
D25
, 脉冲波 测试 11 18 S
C
iss
5000 pF
C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz 600 pF
C
rss
250 pF
t
d(在)
30 ns
t
r
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 0.5 • i
D25
43 ns
t
d(止)
R
G
= 1.5

(外部), 110 ns
t
f
30 ns
Q
g(在)
250 300 nC
Q
gs
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 0.5 • i
D25
33 45 nC
Q
gd
115 150 nC
R
thJC
26N60 0.35 k/w
28N60 0.30 k/w
R
thCK
至-247 0.25 k/w
至-264 0.15 k/w
I
F
= i
S
-di/dt = 100 一个/

s, v
R
= 100 v
源-流 二极管 典型的 值
(t
J
= 25

c, 除非 否则 指定)
标识 测试 情况 最小值 典型值最大值
I
S
V
GS
= 0 v 26N60 26 一个
28N60 28 一个
I
SM
repetitive; 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
26N60 104 一个
28N60 112 一个
V
SD
I
F
= i
S
, v
GS
= 0 v, 1.5 V
脉冲波 测试, t

300

s, 职责 循环 d

2 %
t
rr
250 ns
Q
RM
1

C
I
RM
10 一个
至-247 ad (ixfh) 外形
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 19.81 20.32 0.780 0.800
B 20.80 21.46 0.819 0.845
C 15.75 16.26 0.610 0.640
D 3.55 3.65 0.140 0.144
E 4.32 5.49 0.170 0.216
F 5.4 6.2 0.212 0.244
G 1.65 2.13 0.065 0.084
H - 4.5 - 0.177
J 1.0 1.4 0.040 0.055
K 10.8 11.0 0.426 0.433
L 4.7 5.3 0.185 0.209
M 0.4 0.8 0.016 0.031
N 1.5 2.49 0.087 0.102
Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.82 5.13 .190 .202
A1 2.54 2.89 .100 .114
A2 2.00 2.10 .079 .083
b 1.12 1.42 .044 .056
b1 2.39 2.69 .094 .106
b2 2.90 3.09 .114 .122
c 0.53 0.83 .021 .033
D 25.91 26.16 1.020 1.030
E 19.81 19.96 .780 .786
e 5.46 bsc .215 bsc
J 0.00 0.25 .000 .010
K 0.00 0.25 .000 .010
L 20.32 20.83 .800 .820
L1 2.29 2.59 .090 .102
P 3.17 3.66 .125 .144
Q 6.07 6.27 .239 .247
Q1 8.38 8.69 .330 .342
R 3.81 4.32 .150 .170
R1 1.78 2.29 .070 .090
S 6.04 6.30 .238 .248
T 1.57 1.83 .062 .072
维度
至-264 aa (ixfk) 外形
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.9 5.1 .193 .201
一个
1
2.7 2.9 .106 .114
一个
2
.02 .25 .001 .010
b 1.15 1.45 .045 .057
b
2
1.9 2.1 .75 .83
C .4 .65 .016 .026
D 13.80 14.00 .543 .551
E 15.85 16.05 .624 .632
E
1
13.3 13.6 .524 .535
e          5.45 bsc .215 bsc
H 18.70 19.10 .736 .752
L 2.40 2.70 .094 .106
L1 1.20 1.40 .047 .055
L2 1.00 1.15 .039 .045
L3         0.25 bsc .010 bsc
L4 3.80 4.10 .150 .161
至-268aa (d
3
pak)
最小值 推荐 footprint
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025

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2 - 2 © 2000 ixys 所有权利保留 IXFH26N60 IXFK28N60 IXFT26N60 标识测试情况典型的值 (t J = 25  c, 除非否则指定) 最小值典型值最大值 g fs V DS = 10 v; i D = 0.5 • i D25 , 脉冲波测试 11 18 S C iss 5000 pF C oss V GS = 0 v, v DS = 25 v, f = 1 mhz 600 pF C rss 250 pF t d(在) 30 ns t r V GS = 10 v, v DS = 0.5 • v DSS , i D = 0.5 • i D25 43 ns t d(止) R G = 1.5  (外部), 110 ns t f 30 ns Q g(在) 250 300 nC Q gs V GS = 10 v, v DS = 0.5 • v DSS , i D = 0.5 • i D25 33 45 nC Q gd 115 150 nC R thJC 26N60 0.35 k/w 28N60 0.30 k/w R thCK 至-247 0.25 k/w 至-264 0.15 k/w I F = i S -di/dt = 100 一个/  s, v R = 100 v 源-流二极管典型的值 (t J = 25  c, 除非否则指定) 标识测试情况最小值典型值最大值 I S V GS = 0 v 26N60 26 一个 28N60 28 一个 I SM repetitive; 脉冲波宽度限制用 t JM 26N60 104 一个 28N60 112 一个 V SD I F = i S , v GS = 0 v, 1.5 V 脉冲波测试, t  300  s, 职责循环 d  2 % t rr 250 ns Q RM 1  C I RM 10 一个至-247 ad (ixfh) 外形维度 Millimeter 英寸最小值最大值最小值最大值一个 19.81 20.32 0.780 0.800 B 20.80 21.46 0.819 0.845 C 15.75 16.26 0.610 0.640 D 3.55 3.65 0.140 0.144 E 4.32 5.49 0.170 0.216 F 5.4 6.2 0.212 0.244 G 1.65 2.13 0.065 0.084 H - 4.5 - 0.177 J 1.0 1.4 0.040 0.055 K 10.8 11.0 0.426 0.433 L 4.7 5.3 0.185 0.209 M 0.4 0.8 0.016 0.031 N 1.5 2.49 0.087 0.102 Millimeter 英寸最小值最大值最小值最大值一个 4.82 5.13 .190 .202 A1 2.54 2.89 .100 .114 A2 2.00 2.10 .079 .083 b 1.12 1.42 .044 .056 b1 2.39 2.69 .094 .106 b2 2.90 3.09 .114 .122 c 0.53 0.83 .021 .033 D 25.91 26.16 1.020 1.030 E 19.81 19.96 .780 .786 e 5.46 bsc .215 bsc J 0.00 0.25 .000 .010 K 0.00 0.25 .000 .010 L 20.32 20.83 .800 .820 L1 2.29 2.59 .090 .102 P 3.17 3.66 .125 .144 Q 6.07 6.27 .239 .247 Q1 8.38 8.69 .330 .342 R 3.81 4.32 .150 .170 R1 1.78 2.29 .070 .090 S 6.04 6.30 .238 .248 T 1.57 1.83 .062 .072 维度至-264 aa (ixfk) 外形维度 Millimeter 英寸最小值最大值最小值最大值一个 4.9 5.1 .193 .201 一个 1 2.7 2.9 .106 .114 一个 2 .02 .25 .001 .010 b 1.15 1.45 .045 .057 b 2 1.9 2.1 .75 .83 C .4 .65 .016 .026 D 13.80 14.00 .543 .551 E 15.85 16.05 .624 .632 E 1 13.3 13.6 .524 .535 e 5.45 bsc .215 bsc H 18.70 19.10 .736 .752 L 2.40 2.70 .094 .106 L1 1.20 1.40 .047 .055 L2 1.00 1.15 .039 .045 L3 0.25 bsc .010 bsc L4 3.80 4.10 .150 .161 至-268aa (d 3 pak) 最小值推荐 footprint ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用一个或者更多的这下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025

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