ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权: 4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
图.7 门 承担 典型的 曲线 图.8 向前 偏差 safe 运行 范围
图.9 电容 曲线 图.10 源 电流 vs. 源 至 流 电压
图.11 Transient 热的 阻抗
V
DS
- 伏特
1 10 100
I
D
- amperes
0.1
1
10
100
门 承担 - ncoulombs
0 25 50 75 100 125 150 175 200
V
GE
- 伏特
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
- volt
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50
I
D
- amperes
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
DS
- 伏特
0 5 10 15 20 25
电容 - pf
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
时间 - 秒
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
热的 回馈 - k/w
0.001
0.01
0.1
1
d=0.2
d=0.02
d=0.5
d=0.1
d=0.05
d=0.01
单独的 脉冲波
C
rss
C
oss
V
DS
= 250v
I
D
= 12.5a
I
G
= 10ma
500
10µs
100µs
1ms
10ms
100ms
限制 用 r
ds(在)
C
iss
T
J
= 25°c
T
J
= 125°c
f = 1 mhz
V
DS
= 25v
IXFH21N50 IXFH24N50 IXFH26N50
IXFM21N50 IXFM24N50 IXFM26N50
IXFT24N50 IXFT26N50
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