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资料编号:365199
 
资料名称:H5N3003
 
文件大小: 133.53K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
H5N3003P
rev.2.00, 8月.01.2003, 页 7 的 9
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
100
80
60
40
20
5
4
3
2
1
-50 0 50 100 150 200
0
情况 温度 tc (
°
c)
门 至 源 截止 电压
vs. 情况 温度
门 至 源 截止 电压
v (v)
gs(止)
v = 10 v
DS
vin 监控
d.u.t.
Vin
10 v
R
L
V
= 150 v
DD
tr
td(在)
Vin
90%
90%
10%
10%
Vout
td(止)
Vout
监控
10
90%
10%
t
f
源 至 流 电压 v
SD
(v)
反转 流 电流 i
DR
(一个)
反转 流 电流 vs.
源 至 流 电压
脉冲波 测试
切换 时间 测试 电路
波形
v = 0 v
GS
10 v
5 v
i = 10ma
D
1mA
0.1ma
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