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资料编号:36694
 
资料名称:GS82032AT-5
 
文件大小: 677.23K
   
说明
 
介绍:
64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM
 
 


: 点此下载
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rev: 1.09 7/2002 9/23 © 2000, giga 半导体, 公司
规格 cited 是 主题 至 改变 没有 注意. 为 最新的 必备资料 看 http://www.gsitechnology.com.
gs82032at/q-180/166/133/100
便条:
永久的 损坏 至 这 设备 将 出现 如果 这 绝对 最大 比率 是 超过. 运作 应当 是
restricted 至 推荐 运行 情况. 暴露至 情况 exceeding 这 绝对 最大 比率,
为 一个 扩展 时期 的 时间, 将 affect 可靠性 的 这个 组件.
注释:
1. 除非 否则 指出, 所有 效能 specifications quoted 是 evaluated 为 worst 情况 在 两个都 2.75 v
V
DDQ
2.375 v (i.e., 2.5 v i/o)
和 3.6 v
V
DDQ
3.135 v (i.e., 3.3 v i/o) 和 quoted 在 whichever 情况 是 worst case.
2. 这个 设备 特性 输入 缓存区 compatible 和 两个都 3.3 v 和 2.5 v i/o 驱动器.
3. 大多数 速 grades 和 配置 的 这个 设备 是 offered 在 两个都 商业的 和 工业的 温度 范围. 这 part 号码 的
工业的 温度 范围 版本 终止 和这 character “i”. 除非 否则 指出, 所有 效能 规格 quoted 是 evalu-
ated 为 worst 情况 在 这 温度 范围 marked 在 这 设备.
4. 输入 下面/越过 电压 必须 是 –2 v > vi < v
DD
+2 v 和 一个 脉冲波 宽度 不 至 超过 20% tkc.
绝对 最大 比率
(所有 电压 涉及 至 v
SS
)
标识 描述 单位
V
DD
电压 在 v
DD
管脚 –0.5 至 4.6 V
V
DDQ
电压 在 v
DDQ
管脚 –0.5 至 v
DD
V
V
CK
电压 在 时钟 输入 管脚 –0.5 至 6 V
V
i/o
电压 在 i/o 管脚 –0.5 至 v
DDQ
+0.5 (
4.6 v 最大值.) V
V
电压 在 其它 输入 管脚 –0.5 至 v
DD
+0.5 (
4.6 v 最大值.) V
I
输入 电流 在 任何 管脚 +/–20 毫安
I
输出
输出 电流 在 任何 i/o 管脚 +/–20 毫安
P
D
包装 电源 消耗 1.5 W
T
STG
存储 温度 –55 至 125
o
C
T
偏差
温度 下面 偏差 –55 至 125
o
C
推荐 operating 情况
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 注释
供应 电压
V
DD
3.135 3.3 3.6 V
i/o 供应 电压
V
DDQ
2.375 2.5
V
DD
V1
输入 高 电压
V
IH
1.7
V
DD
+0.3
V2
输入 低 电压
V
IL
–0.3 0.8 V 2
包围的 温度 (商业的 范围 版本)
T
一个
02570
°
C3
包围的 温度 (工业的 范围 版本)
T
一个
–40 25 85
°
C3
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