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所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certification.
intersil 产品 是 出售 用 描述 仅有的. intersil 公司 reserves 这 正确的 至 制造 改变 在 电路 设计 和/或者 specifications 在 任何 时间 没有
注意. accordingly, 这 reader 是 cautioned 至 核实 那 数据 薄板 是 电流 在之前 放置 顺序. 信息 陈设 用 intersil 是 相信 至 是 精确
和 可依靠的. 不管怎样, 非 责任 是 assumed 用 intersil 或者 它的 附属机构 为 它的 使用; 也不 为 任何 infringements 的 patents 或者 其它 权利 的 第三 部 这个
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http://www.intersil.com
消逝 特性
消逝 维度:
102 毫英寸 x 61 毫英寸 x 19 毫英寸
2590
µ
m x 1550
µ
m x 483
µ
m
敷金属:
类型: al, 1% cu
厚度: 16k
Å
±
2k
Å
基质 潜在的:
v-
backside 完成:
金, nickel, 硅, 等
passivation:
类型: 渗氮 (si
3
N
4
) 在 silox (sio
2
, 5% phos.)
silox 厚度: 12k
Å
±
2k
Å
渗氮 厚度: 3.5k
Å
±
1.5k
Å
晶体管 计数:
78
处理:
双极 dielectric 分开
敷金属 掩饰 布局
ha-2420, ha-2425
地
支撑 cap
V+v-
vos adj
vos adj
输出
ha-2420, ha-2425
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