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所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certification.
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www.intersil.com
消逝 特性
消逝 维度:
69 毫英寸 x 56 毫英寸 x 19 毫英寸
1750
µ
m x 1420
µ
m x 483
µ
m
敷金属:
类型: al, 1% cu
厚度: 16k
Å
±
2k
Å
基质 潜在的 (powered 向上):
Unbiased
passivation:
类型: 渗氮 (si
3
N
4
) 在 silox (sio
2
, 5% phos.)
silox 厚度: 12k
Å
±
2k
Å
渗氮 厚度: 3.5k
Å
±
1.5k
Å
晶体管 计数:
140
处理:
双极 dielectric 分开
敷金属 掩饰 布局
ha-2600, ha-2605
+IN -在
BAL
竞赛
V+
输出
BAL
v-
ha-2600, ha-2605
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