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所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certification.
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republic 的 中国
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传真: (886) 2 2715 3029
消逝 特性
消逝 维度:
93 毫英寸 x 68 毫英寸 x 19 毫英寸
2360
µ
m x 1720
µ
m x 483
µ
m
敷金属:
类型: al, 1% cu
厚度: 16k
Å
±
2k
Å
passivation:
类型: 渗氮 (si
3
N
4
) 在 silox (sio
2
, 5% phos.)
silox 厚度: 12k
Å
±
2k
Å
渗氮 厚度: 3.5k
Å
±
1.5k
Å
基质 潜在的 (powered 向上):
Unbiased
晶体管 计数:
76
处理:
hv200 双极 dielectric 分开
敷金属 掩饰 布局
ha-2640, ha-2645
竞赛
V+
输出
BALv-
+IN
-在
BAL
ha-2640, ha-2645