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资料编号:367958
 
资料名称:HAT2016R
 
文件大小: 53.55K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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HAT2016R
5
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 至 源 电压 v (v)
ds(在)
流 至 源 饱和 电压 vs.
门 至 源 电压
流 电流 i (一个)
D
流 至 源 在 状态 阻抗
r ( )
ds(在)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 流 电流
情况 温度 tc (
°
c)
r ( )
ds(在)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 温度
向前 转移 admittance |yfs| (s)
流 电流 i (一个)
D
向前 转移 admittance vs.
流 电流
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
246810
2 一个
1 一个
i = 5 一个
D
0.2
0.5
1
2
51020
0.5
0.2
0.1
0.02
0.05
0.01
0.005
10 v
v = 4 v
GS
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
–40 0 40 80 120 160
0
i = 1 一个, 2 一个, 5 一个
D
1 一个, 2 一个, 5 一个
10 v
v = 4 v
GS
0.2
0.5 1 2
510
20
20
10
2
5
1
0.2
0.5
25
°
C
tc = –25
°
C
75
°
C
脉冲波 测试
脉冲波 测试
脉冲波 测试
DS
v = 10 v
脉冲波 测试
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