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资料编号:367962
 
资料名称:HAT2024R
 
文件大小: 54.4K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT2024R
6
0.2 0.5 1 2 5 100.1
500
200
100
20
50
10
5
01020304050
1000
200
100
20
10
50
40
30
20
10
0
20
16
12
8
4
246810
0
di/dt = 20 一个/µs
v = 0, ta = 25°c
GS
500
50
Ciss
Coss
Crss
v = 0
f = 1 mhz
GS
V
GS
V
DS
i = 5.5 一个
D
v = 5 v
10 v
20 v
DD
v = 20 v
10 v
5 v
DD
反转 流 电流 i (一个)
DR
反转 恢复 时间 trr (ns)
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
电容 c (pf)
流 至 源 电压 v (v)
DS
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
门 承担 qg (nc)
流 至 源 电压 v (v)
DS
门 至 源 电压 v (v)
GS
动态 输入 特性
20
16
12
8
4
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
0, –5 v
v = 5 v
GS
源 至 流 电压 v (v)
SD
反转 流 电流 i (一个)
DR
反转 流 电流 vs.
souece 至 流 电压
脉冲波 测试
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