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资料编号:367964
 
资料名称:HAT2026R
 
文件大小: 51.16K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT2026R
2
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
Item 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
20 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
12 V
流 电流 I
D
11 一个
流 顶峰 电流 I
d(脉冲波)
Note1
88 一个
身体-流 二极管 反转 流 电流 I
DR
11 一个
频道 消耗 Pch
Note2
2.5 W
频道 温度 Tch 150
°
C
存储 温度 Tstg – 55 至 + 150
°
C
便条: 1. PW
10
µ
s, 职责 循环
1 %
2. 当 使用 这 glass 环氧的 板 (fr4 40 x 40 x 1.6 mm), pw
10s
电的 特性
(ta = 25
°
c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏 电压 V
(br)dss
20——V I
D
= 10 毫安, v
GS
= 0
门 至 源 损坏 电压 V
(br)gss
±
12 V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——
±
10
µ
AV
GS
=
±
10 v, v
DS
= 0
零 门 voltege 流 电流 I
DSS
——1
µ
AV
DS
= 20 v, v
GS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
0.4 1.4 V V
DS
= 10 v,
I
D
= 1 毫安
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)
0.011 0.015
I
D
= 6 一个, v
GS
= 4 v
Note3
阻抗 R
ds(在)
0.014 0.021
I
D
= 6 一个, v
GS
= 2.5 v
Note3
向前 转移 admittance |y
fs
| 1827—S I
D
= 6 一个, v
DS
= 10 v
Note3
输入 电容 Ciss 1760 pF V
DS
= 10 v
输出 电容 Coss 1130 pF V
GS
= 0
反转 转移 电容 Crss 450 pF f = 1mhz
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
35 ns V
GS
= 4 v, i
D
= 6 一个
上升 时间 t
r
275 ns V
DD
10 v
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
300 ns
下降 时间 t
f
340 ns
body–drain 二极管 向前 电压 V
DF
0.83 1.08 V 如果 = 11 一个, v
GS
= 0
Note3
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
75 ns 如果 = 11 一个, v
GS
= 0
dif/ dt = 20 一个/
µ
s
便条: 3. 脉冲波 测试
这 规格 将 是 改变 没有 注意.
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