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资料编号:367983
 
资料名称:HAT1020R
 
文件大小: 55.16K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT1020R
6
–20
–16
–12
–8
–4
0
源 至 流 电压 v (v)
SD
反转 流 电流 i (一个)
DR
反转 流 电流 vs.
源 至 流 电压
–0.4 –0.8 –1.2 –1.6 –2.0
脉冲波 测试
0, 5 v
v = –5 v
GS
10 µ
100 µ 1 m 10 m 100 m 1 10
100 1000 10000
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
d = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot 脉冲波
脉冲波 宽度 pw (s)
normalized 瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
normalized 瞬时 热的 阻抗
s (t)
γ
DM
P
PW
T
d =
PW
T
ch – f(t) = s (t) • ch – f
ch – f = 83.3 °c/w, ta = 25 °c
θ
γ θ
θ
当 使用 这 glass 环氧的 板
(fr4 40x40x1.6 mm)
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