首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:367988
 
资料名称:HAT1024R
 
文件大小: 53.64K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
 
 


: 点此下载
  浏览型号HAT1024R的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号HAT1024R的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号HAT1024R的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号HAT1024R的Datasheet PDF文件第5页
5

6
浏览型号HAT1024R的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号HAT1024R的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号HAT1024R的Datasheet PDF文件第9页
9
浏览型号HAT1024R的Datasheet PDF文件第10页
10
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT1024R
6
500
200
100
20
50
10
5
–0.2 –0.5 –1 –2 –5 –10
–0.1
0
10000
3000
1000
300
100
30
10
–10 –20 –30 –40
–50
v = 0
f = 1 mhz
GS
0
–10
–20
–30
–40
0
0
–4
–8
–12
–16
–20–50
4 8 12 16 20
di / dt = 20 一个 /
µ
s
v = 0, ta = 25
°
C
GS
Ciss
Coss
Crss
DS
V
GS
V
v = –5 v
–10 v
–25 v
DD
DD
v = –25 v
–10 v
–5 v
D
i = –3.5 一个
反转 流 电流 i (一个)
DR
反转 恢复 时间 trr (ns)
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
电容 c (pf)
流 至 源 电压 v (v)
DS
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
门 承担 qg (nc)
流 至 源 电压 v (v)
DS
门 至 源 电压 v (v)
GS
动态 输入 特性
–20
–16
–12
–8
–4
0
–0.4 –0.8 –1.2 –1.6 –2.0
0, 5 v
v = –5 v
GS
源 至 流 电压 v (v)
SD
反转 流 电流 i (一个)
DR
反转 流 电流 vs.
souece 至 流 电压
脉冲波 测试
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com