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资料编号:367996
 
资料名称:HAT1036R
 
文件大小: 50.65K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT1036R
5
反转 流 电流 i (一个)
DR
反转 恢复 时间 trr (ns)
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
电容 c (pf)
流 至 源 电压 v (v)
DS
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
流 至 源 电压 v (v)
DS
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 电流 i (一个)
D
切换 时间 t (ns)
切换 特性
-0.2 -0.5 -1 -2 -5 -10 -20
100
20
50
10
0 -10 -20 -30 -40 -50
10000
3000
1000
300
100
30
10
Ciss
Coss
Crss
v = 0
f = 1 mhz
GS
1000
200
500
100
20
50
10
-0.1
di/dt = 20 一个/µs
v = 0, ta = 25°c
GS
-0.2 -0.5 -1 -2 -5 -10 -20-0.1
GS
DS
v = -4 v, v = -10 v
rg = 50 , 职责 < 1 %
t
f
r
t
d(止)
t
d(在)
t
0
–10
–20
–30
–40
0
0
–4
–8
–12
–16
40 80 120 160 200
–20
–50
v = –5 v
–10 v
–25 v
DD
i = –12 一个
D
V
GS
V
DS
v = –25 v
–10 v
–5 v
DD
门 承担 qg (nc)
动态 输入 特性
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