HAT2051T
2
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
Item 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
30 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
10 V
流 电流 I
D
1A
流 顶峰 电流 I
d(脉冲波)
Note1
4A
身体-流 二极管 反转 流 电流 I
DR
1A
频道 消耗 Pch
Note2
0.8 W
频道 消耗 Pch
Note3
1.2 W
频道 温度 Tch 150
°
C
存储 温度 Tstg – 55 至 + 150
°
C
便条: 1. PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1 %
2. 1 驱动 运作 : 当 使用 这 glass 环氧的 板 (fr4 40 x 40 x 1.6 mm), pw
≤
10s
3. 2 驱动 运作 : 当 使用 这 glass 环氧的 板 (fr4 40 x 40 x 1.6 mm), pw
≤
10s
电的 特性
(ta = 25
°
c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏 电压 V
(br)dss
30——V I
D
= 10 毫安, v
GS
= 0
门 至 源 损坏 电压 V
(br)gss
±
10 — — V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——
±
10
µ
AV
GS
=
±
8 v, v
DS
= 0
零 门 voltege 流 电流 I
DSS
——1
µ
AV
DS
= 30 v, v
GS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
0.75 — 1.75 V V
DS
= 10 v,
I
D
= 1 毫安
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)
— 0.14 0.2
Ω
I
D
= 0.5 一个, v
GS
= 10 v
Note4
阻抗 R
ds(在)
— 0.2 0.3
Ω
I
D
= 0.5 一个, v
GS
= 4 v
Note4
向前 转移 admittance |y
fs
| 1.4 2.2 — S I
D
= 0.5 一个, v
DS
= 10 v
Note4
输入 电容 Ciss — 155 — pF V
DS
= 10 v
输出 电容 Coss — 75 — pF V
GS
= 0
反转 转移 电容 Crss — 35 — pF f = 1mhz
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
— 12 — ns V
GS
= 4 v, i
D
= 0.5 一个
上升 时间 t
r
— 30 — ns V
DD
≅
10 v
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
—35—ns
下降 时间 t
f
—25—ns
body–drain 二极管 向前 电压 V
DF
— 0.81 1.1 V I
F
= 1 一个, v
GS
= 0
Note4
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
— 35 — ns I
F
= 1 一个, v
GS
= 0
dif/ dt = 20 一个/
µ
s
便条: 4. 脉冲波 测试
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