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资料编号:368016
资料名称:
HAT2140H
文件大小: 94.19K
说明
:
介绍
:
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
HAT2140H
rev.2, 8月. 2002, 页 2 的 5
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
item 标识 比率 单位
流 至 源 电压
V
DSS
100 v
门 至 源 电压
V
GSS
±20 v
流 电流
I
D
25 一个
流 顶峰 电流
I
d(脉冲波)
Note1
100
一个
身体-流 二极管 反转 流 电流
I
DR
25 一个
avalanche 电流
I
AP
便条 3
25
一个
avalanche 活力
E
AR
便条 3
62.5
mJ
频道 消耗
Pch
Note2
30
W
频道 温度
tch 150 °c
存储 温度
Tstg
–55 至 + 150
°C
注释: 1. pw
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
2. tc=25°c
3.
值 在 tch = 25°c, rg
≥
50
Ω
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