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所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certification.
Intersil 半导体 产品 是 出售 用 描述 仅有的. Intersil 公司 reserves 这 正确的 至 制造 改变 在 电路 设计 和/或者 规格 在 任何 时间 和-
输出 注意. accordingly, 这 reader 是 cautioned 至 核实 那 数据 薄板 是 电流 在之前 放置 顺序. 信息 陈设 用 Intersil 是 相信 至 是 精确 和
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从 它的 使用. 非 执照 是 准予 用 牵涉 或者 否则 下面 任何 专利权 或者 专利权 权利 的 intersil 或者 它的 附属机构.
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http://www.intersil.com
超（电）压 保护 和 纵向的
电流 保护
这 SLIC 设备, 在 conjunction 和 一个 外部 保护
桥, 将 承受 高 电压 lightning surges 和
电源 线条 crosses.
高 电压 surge 情况 是 作 specified 在 表格 1.
这 slic 将 承受 纵向的 电流 向上 至 一个
最大 或者 30ma
RMS
, 15ma
RMS
每 leg, 没有 任何
效能 降级.
逻辑 门 图式
图式 图解
(持续)
15
5
6
12
4
16
13
一个
B
C
C
B
一个
TTL
至
STTL
TTL
至
STTL
TTL
至
STTL
至
R
21
GKDSHDRDPDRCRS
C2
TTL
至
STTL
TTL
至
STTL
延迟
逻辑 偏差
接转
驱动器
SH
GK
11 14
3
97
8
10
2
1
肖特基 逻辑
表格 1.
参数
测试
情况
效能
(最大值) 单位
纵向的
Surge
10
µ
s 上升/
±
1000 (塑料) V
顶峰
1000
µ
s 下降
±
500 (陶瓷的) V
顶峰
metallic surge 10
µ
s 上升/
±
1000 (塑料) V
顶峰
1000
µ
s 下降
±
500 (陶瓷的) V
顶峰
t/地 10
µ
s 上升/
±
1000 (塑料) V
顶峰
r/地 1000
µ
s 下降
±
500 (陶瓷的) V
顶峰
50/60hz 电流
t/地 11 循环 700 (塑料) V
RMS
r/地 限制 至
10A
RMS
350 (陶瓷的) V
RMS
hc-5504b
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