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资料编号:369978
 
资料名称:HCF4011BM1
 
文件大小: 287.63K
   
说明
 
介绍:
NAND GATES
 
 


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HCF4013B
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动态 电的 特性
(t
amb
= 50pf, r
L
= 200k
, t
r
= t
f
= 20 ns)
(*) 典型 温度 系数 为 所有 v
DD
值 是 0.3 %/°c.
(1) 输入 tr, tf = 5ns
(2) 如果 更多 比 单位 是 倾泻 在 一个 并行的 clocked 应用, tr 应当 是 制造 较少 比 或者 equal 至 这 总 的 这 fixed 传播
延迟 时间 在 15pf 和 这 转变 时间 的 这 carry 输出 驱动 平台 为 这 estimated 电容的 加载.
标识 参数
测试 情况 值 (*) 单位
V
DD
(v)
最小值 典型值 最大值
t
TLH
t
THL
传播 延迟 时间
(时钟 至 q 或者 q
输出)
5 150 300
ns10 65 130
15 45 90
t
PLH
传播 延迟 时间
(设置 至 q 或者 重置 至 q
)
5 150 300
ns10 65 130
15 45 90
t
PHL
传播 延迟
时间(设置 至 q
或者 重置
至 q)
5 200 400
ns10 85 170
15 60 120
t
THL
t
TLH
转变 时间 5 100 200
ns10 50 100
15 40 80
f
CL
(1)
最大 时钟 输入
频率
5 3.5 7
MHz10 8 16
15 12 24
t
W
时钟 脉冲波 宽度 5 140 70
ns10 60 30
15 40 20
t
r
, t
f
(2)
时钟 输入 上升 或者 下降
时间
515
µ
s10 4
15 1
t
W
设置 或者 重置 脉冲波 宽度 5 180 90
ns10 80 40
15 50 25
t
建制
数据 建制 时间 5 40 20
ns10 20 10
15 15 7
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