igbt 单元 ( n 序列 )
nn
特性
•
正方形的 rbsoa
•
低 饱和 电压
•
较少 总的 电源 消耗
•
改进 fwd 典型的
•
使减少到最低限度 内部的 偏离 电感
•
overcurrent 限制的 函数 (
4~5
时间 评估 电流)
nn
产品
•
高 电源 切换
•
一个.c. 发动机 控制
•
d.c. 发动机 控制
•
uninterruptible 电源 供应
nn
外形 绘画
nn
最大 比率 和 特性
•绝对 最大 比率
( t
c
=25°C)
Items Symbols 比率 单位
集电级-发射级 电压 V
CES
1200 V
门 -发射级 电压 V
GES
±
20
V
持续的 I
C
200
集电级 1ms I
c 脉冲波
400
电流 持续的 -i
C
200
1ms -i
c 脉冲波
400
最大值 电源 消耗 P
C
1500 W
运行 温度 T
j
+150 °C
存储 温度 T
stg
-40
∼
+125
°C
分开 电压 一个.c. 1min. V
是
2500 V
挂载 *1 3.5
terminals *2 4.5
便条:
*1:recommendable 值; 2.5
∼
3.5 nm (m5) 或者 (m6)
*2:recommendable 值; 3.5
∼
4.5 nm (m6)
•电的 特性
( 在 t
j
=25°c )
Items Symbols 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
零 门 电压 集电级 电流 I
CES
V
GE
=0v v
CE
=1200V 2.0 毫安
门-发射级 leackage 电流 I
GES
V
CE
=0v v
GE
=
±
20V
30
µ
一个
门-发射级 门槛 电压 V
ge(th)
V
GE
=20v i
C
=200mA 4.5 7.5 V
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
V
GE
=15v i
C
=200A 3.3 V
输入 电容 C
ies
V
GE
=0V 32000
输出 电容 C
oes
V
CE
=10V 11600 pF
反转 转移 电容 C
res
f=1MHz 10320
t
在
V
CC
=600V 0.65 1.2
t
r
I
C
=200A 0.25 0.6
t
止
V
GE
=
±
15V
0.85 1.5
t
f
R
G
=4.7
Ω
0.35 0.5
二极管 向前 在-电压 V
F
I
F
=200a v
GE
=0V 3.0 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=200A 350 ns
•热的 特性
Items Symbols 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th(j-c)
IGBT 0.085
热的 阻抗 R
th(j-c)
二极管 0.22 °c/w
R
th(c-f)
和 热的 复合 0.025
nn
相等的 电路
screw torque
转变-在 时间
转变-止 时间
µ
s
一个
Nm
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