HEF40240BP_集成电路资料查询网

january 1995 5
飞利浦 半导体 产品 规格
octal 反相的 缓存区 和 3-状态 输出
HEF40240B
缓存区
交流 特性
V
SS
= 0 v; t
amb
=25
°
c; C
L
= 50 pf; 输入 转变 时间
≤
20 ns
参数
V
DD
V
标识 最小值 典型值 最大值 单位
典型 extrapolation
FORMULA
传播 延迟
I
一个/bn
→
O
一个/bn
5 95 190 ns 83 ns
+
(0,24 ns/pf) c
L
高 至 低 10 t
PHL
40 80 ns 35 ns
+
(0,10 ns/pf) c
L
15 30 60 ns 26 ns
+
(0,07 ns/pf) c
L
I
一个/bn
→
O
一个/bn
5 85 170 ns 82 ns
+
(0,06 ns/pf) c
L
低 至 高 10 t
PLH
40 80 ns 38 ns
+
(0,03 ns/pf) c
L
15 30 60 ns 29 ns
+
(0,02 ns/pf) c
L
输出 转变 5 40 80 ns
看 图.6
时间 10 t
THL
20 40 ns
高 至 低 15 15 30 ns
53060ns
低 至 高 10 t
TLH
20 40 ns
15 15 30 ns
3-状态 传播 延迟
输出 使不能运转 时间
EO
→
O
一个/bn
5 70 140 ns
高 10 t
PHZ
35 70 ns
15 30 60 ns
5 75 150 ns
低 10 t
PLZ
40 80 ns
15 30 60 ns
输出 使能 时间
EO
→
O
一个/bn
5 80 160 ns
高 10 t
PZH
35 70 ns
15 30 60 ns
5 90 180 ns
低 10 t
PZL
40 80 ns
15 30 60 ns

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january 1995 5 飞利浦半导体产品规格 octal 反相的缓存区和 3-状态输出 HEF40240B 缓存区交流特性 V SS = 0 v; t amb =25 ° c; C L = 50 pf; 输入转变时间 ≤ 20 ns 参数 V DD V 标识最小值典型值最大值单位典型 extrapolation FORMULA 传播延迟 I 一个/bn → O 一个/bn 5 95 190 ns 83 ns + (0,24 ns/pf) c L 高至低 10 t PHL 40 80 ns 35 ns + (0,10 ns/pf) c L 15 30 60 ns 26 ns + (0,07 ns/pf) c L I 一个/bn → O 一个/bn 5 85 170 ns 82 ns + (0,06 ns/pf) c L 低至高 10 t PLH 40 80 ns 38 ns + (0,03 ns/pf) c L 15 30 60 ns 29 ns + (0,02 ns/pf) c L 输出转变 5 40 80 ns 看图.6 时间 10 t THL 20 40 ns 高至低 15 15 30 ns 53060ns 低至高 10 t TLH 20 40 ns 15 15 30 ns 3-状态传播延迟输出使不能运转时间 EO → O 一个/bn 5 70 140 ns 高 10 t PHZ 35 70 ns 15 30 60 ns 5 75 150 ns 低 10 t PLZ 40 80 ns 15 30 60 ns 输出使能时间 EO → O 一个/bn 5 80 160 ns 高 10 t PZH 35 70 ns 15 30 60 ns 5 90 180 ns 低 10 t PZL 40 80 ns 15 30 60 ns

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