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january 1995 5
飞利浦 半导体 产品 规格
octal transparent 获得 和 3-状态 输出
HEF40373B
MSI
比率
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
看 家族 speciﬁcations, 除了 为:
直流 特性
V
SS
=0 v
d.c. 电流 在 任何 输入
±
I
I
最大值 10 毫安
d.c. 源 或者 下沉 电流 在 任何 输出
±
I
O
最大值 25 毫安
d.c. 电流 在 这 供应 terminals
±
I 最大值 100 毫安
V
DD
V
V
OH
V
V
OL
V
标识
T
amb
(
°
c)
−
40
+
25
+
85
最小值 典型值 最小值 典型值 最小值 典型值
输出 电流 5 4,6 0,75 0,6 1,2 0,45 毫安
高 10 9,5
−
I
OH
1,85 1,5 3,0 1,1 毫安
15 13,5 14,5 15 50 15,5 毫安
输出 电流 5 3,6 9,3 10 24 10,7 毫安
高 10 8,4
−
I
OH
14,4 15 46 15,0 毫安
15 13,2 19,5 20 62 19,8 毫安
输出 电流 5 0,4 2,9 2,3 5,4 1,75 毫安
低 10 0,5 I
OL
9,5 7,6 17 5,50 毫安
15 1,5 30,0 25 45 19,0 毫安
Hysteresis 5 220 mV
电压 在 10 V
H
250 mV
使能 输入 (e) 15 320 mV
图.5  典型 输出 源 电流 典型的. 图.6  图式 图解 的 输出 平台.
(1) p-频道 mos 晶体管 组织.
(2) p-频道 mos 晶体管 和 双极
n-p-n 晶体管 组织.

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january 1995 5 飞利浦半导体产品规格 octal transparent 获得和 3-状态输出 HEF40373B MSI 比率限制的值在一致和这绝对最大系统 (iec 134) 看家族 speciﬁcations, 除了为: 直流特性 V SS =0 v d.c. 电流在任何输入 ± I I 最大值 10 毫安 d.c. 源或者下沉电流在任何输出 ± I O 最大值 25 毫安 d.c. 电流在这供应 terminals ± I 最大值 100 毫安 V DD V V OH V V OL V 标识 T amb ( ° c) − 40 + 25 + 85 最小值典型值最小值典型值最小值典型值输出电流 5 4,6 0,75 0,6 1,2 0,45 毫安高 10 9,5 − I OH 1,85 1,5 3,0 1,1 毫安 15 13,5 14,5 15 50 15,5 毫安输出电流 5 3,6 9,3 10 24 10,7 毫安高 10 8,4 − I OH 14,4 15 46 15,0 毫安 15 13,2 19,5 20 62 19,8 毫安输出电流 5 0,4 2,9 2,3 5,4 1,75 毫安低 10 0,5 I OL 9,5 7,6 17 5,50 毫安 15 1,5 30,0 25 45 19,0 毫安 Hysteresis 5 220 mV 电压在 10 V H 250 mV 使能输入 (e) 15 320 mV 图.5 典型输出源电流典型的. 图.6 图式图解的输出平台. (1) p-频道 mos 晶体管组织. (2) p-频道 mos 晶体管和双极 n-p-n 晶体管组织.

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