HEF40174BT_集成电路资料查询网

january 1995 5
飞利浦 半导体 产品 规格
十六进制 d-类型 ﬂip-ﬂop
HEF40174B
MSI
应用 信息
一些 examples 的 产品 为 这 hef40174b 是:
•
变换 寄存器
•
缓存区/存储 寄存器
•
模式 发生器
V
DD
V
典型 formula 为 p(
µ
w)
动态 电源 5 3500 f
i
+∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD
2
在哪里
消耗 每 10 16 000 f
i
+∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD
2
f
i
= 输入 freq. (mhz)
包装 (p) 15 42 000 f
i
+∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD
2
f
o
= 输出 freq. (mhz)
C
L
= 加载 电容 (pf)
∑
(f
o
C
L
) = 总 的 输出
V
DD
= 供应 电压 (v)
图.4 波形 表明 最小 脉冲波 widths 为 cp 和 mr, MR 至 cp 恢复 时间, 和 设置-向上 时间 和
支撑 时间 为 d
n
至 cp. 设置-向上 和 支撑 时间 是 显示 作 积极的 值 但是 将 是 指定 作
负的 值.

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january 1995 5 飞利浦半导体产品规格十六进制 d-类型 ﬂip-ﬂop HEF40174B MSI 应用信息一些 examples 的产品为这 hef40174b 是: • 变换寄存器 • 缓存区/存储寄存器 • 模式发生器 V DD V 典型 formula 为 p( µ w) 动态电源 5 3500 f i +∑ (f o C L ) × V DD 2 在哪里消耗每 10 16 000 f i +∑ (f o C L ) × V DD 2 f i = 输入 freq. (mhz) 包装 (p) 15 42 000 f i +∑ (f o C L ) × V DD 2 f o = 输出 freq. (mhz) C L = 加载电容 (pf) ∑ (f o C L ) = 总的输出 V DD = 供应电压 (v) 图.4 波形表明最小脉冲波 widths 为 cp 和 mr, MR 至 cp 恢复时间, 和设置-向上时间和支撑时间为 d n 至 cp. 设置-向上和支撑时间是显示作积极的值但是将是指定作负的值.

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