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january 1995 6
飞利浦 半导体 产品 规格
十六进制 反相的 施密特 触发
HEF40106B
门
如果 一个 施密特 触发 是 驱动 通过 一个 高 阻抗 (r
>
1 k
Ω
) 然后 它 是 需要 至 包含 一个 电容 c 的 此类
值 那: , 否则 振动 能 出现 在 这 edges 的 一个 脉冲波.
C
p
是 这 外部 parasitic 电容 在 输入 和 输出; 这 值 取决于 在 这 电路 板 布局.
图.9  典型 切换 水平 作 一个 函数 的 供应 电压 v
DD
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amb
=25
°
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图.10  施密特 触发 驱动 通过 一个 高 阻抗 (r
>
1 k
Ω
).
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C
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V
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–
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january 1995 6 飞利浦半导体产品规格十六进制反相的施密特触发 HEF40106B 门如果一个施密特触发是驱动通过一个高阻抗 (r > 1 k Ω ) 然后它是需要至包含一个电容 c 的此类值那: , 否则振动能出现在这 edges 的一个脉冲波. C p 是这外部 parasitic 电容在输入和输出; 这值取决于在这电路板布局. 图.9 典型切换水平作一个函数的供应电压 v DD ;t amb =25 ° c. 图.10 施密特触发驱动通过一个高阻抗 (r > 1 k Ω ). C C p ------- V DD V SS – V H --------------------------- >

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