january 1995 4
飞利浦 半导体 产品 规格
3-状态 十六进制 反相的 缓存区
HEF40098B
缓存区
交流 特性
V
SS
=0v; t
amb
=25
°
c; c
L
= 50 pf; 输入 转变 时间
≤
20 ns
V
DD
V
标识 典型值 最大值
典型 extrapolation
FORMULA
传播 延迟
I
n
→
O
n
5 80 160 ns 70 ns
+
(0,20 ns/pf) c
L
高 至 低 10 t
PHL
35 70 ns 31 ns
+
(0,08 ns/pf) c
L
15 25 50 ns 22 ns
+
(0,06 ns/pf) c
L
5 65 130 ns 50 ns
+
(0,30 ns/pf) c
L
低 至 高 10 t
PLH
30 60 ns 24 ns
+
(0,13 ns/pf) c
L
15 25 50 ns 23 ns
+
(0,05 ns/pf) c
L
输出 转变 时间 5 30 60 ns 15 ns
+
(0,30 ns/pf) c
L
高 至 低 10 t
THL
15 30 ns 10 ns
+
(0,11 ns/pf) c
L
15 10 20 ns 7 ns
+
(0,07 ns/pf) c
L
53570ns10ns
+
(0,50 ns/pf) c
L
低 至 高 10 t
TLH
20 40 ns 8 ns
+
(0,24 ns/pf) c
L
15 15 30 ns 6 ns
+
(0,18 ns/pf) c
L
3-状态 传播 延迟
输出 使不能运转 时间
EO
2
, EO
4
→
O
n
54585ns
高 10 t
PHZ
35 65 ns
15 30 60 ns
5 65 135 ns
低 10 t
PLZ
40 80 ns
15 35 70 ns
输出 使能 时间
EO
2
, EO
4
→
O
n
5 70 140 ns
高 10 t
PZH
35 75 ns
15 30 65 ns
5 90 185 ns
低 10 t
PZL
40 85 ns
15 35 70 ns
V
DD
V
典型 formula 为 p (
µ
w)
动态 电源 5 5 000 f
i
+∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD
2
在哪里
消耗 每 10 22 800 f
i
+∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD
2
f
i
= 输入 freq. (mhz)
包装 (p) 15 81 000 f
i
+∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD
2
f
o
= 输出 freq. (mhz)
C
L
= 加载 cap. (pf)
∑
(f
o
C
L
) = 总 的 输出
V
DD
= 供应 电压 (v)
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