2
绝对 最大 比率 热的 信息
V
CEO
, 集电级 至 发射级 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0v
V
CBO
, 集电级 至 根基 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.0v
V
EBO
, 发射级 至 根基 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5v
I
C
, 集电级 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30ma
运行 情况
温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40
o
c 至 85
o
C
热的 阻抗 (典型, 便条 1)
θ
JA
(
o
c/w)
soic 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 185
最大 接合面 温度 (消逝) . . . . . . . . . . . . . . . . . . .175
o
C
最大 接合面 温度 (塑料 包装) . . . . . . . . .150
o
C
最大 存储 温度 范围. . . . . . . . . . -65
o
c 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 (焊接 10s) . . . . . . . . . . . . .300
o
C
(soic - 含铅的 tips 仅有的)
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 only 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1.
θ
JA
是 量过的 和 这 组件 挂载在 一个 evaluation pc 板 在 自由 空气.
电的 规格
T
一个
= 25
o
C
参数 测试 情况
(便条 2)
测试
水平的
最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 根基 损坏 电压, v
(br)cbo
, q
1
thru q
6
I
C
= 100
µ
一个, i
E
= 0 一个 12 18 - V
集电级 至 发射级 损坏 电压, v
(br)ceo
,
Q
5
和 q
6
I
C
= 100
µ
一个, i
B
= 0 一个 8 12 - V
发射级 至 根基 损坏 电压, v
(br)ebo
, q
1
thru q
6
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0 一个 5.5 6 - V
集电级 截止 电流, i
CBO
, q
1
thru q
4
V
CB
= 8v, i
E
= 0 一个 - 0.1 10 nA
发射级 截止 电流, i
EBO
, q
5
和 q
6
V
EB
= 1v, i
C
= 0 一个 - - 200 nA
直流 电流 增益, h
FE
, q
1
thru q
6
I
C
= 10ma, v
CE
= 3v 一个 40 70 -
集电级 至 根基 电容, c
CB
Q
1
thru q
4
V
CB
= 5v, f = 1mhz C - 0.300 - pF
Q
5
和 q
6
- 0.600 - pF
发射级 至 根基 电容, c
EB
Q
1
thru q
4
V
EB
= 0, f = 1mhz B - 0.200 - pF
Q
5
和 q
6
- 0.400 - pF
电流 增益-带宽 产品, f
T
Q
1
thru q
4
I
C
= 10ma, v
CE
= 5v C - 10 - GHz
Q
5
和 q
6
I
C
= 20ma, v
CE
= 5v C - 10 - GHz
电源 增益-带宽 产品, f
最大值
Q
1
thru q
4
I
C
= 10ma, v
CE
= 5v C - 5 - GHz
Q
5
和 q
6
I
C
= 20ma, v
CE
= 5v C - 5 - GHz
有 增益 在 最小 噪音 图示, g
NFMIN
,
Q
5
和 q
6
I
C
= 5ma,
V
CE
= 3v
f = 0.5ghz C - 17.5 - dB
f = 1.0ghz C - 11.9 - dB
最小 噪音 图示, nf
最小值
, q
5
和 q
6
I
C
= 5ma,
V
CE
= 3v
f = 0.5ghz C - 1.7 - dB
f = 1.0ghz C - 2.0 - dB
50
Ω
噪音 图示, nf
50
Ω
, q
5
和 q
6
I
C
= 5ma,
V
CE
= 3v
f = 0.5ghz C - 2.25 - dB
f = 1.0ghz C - 2.5 - dB
直流 电流 增益 相一致, h
FE1
/h
FE2
, q
1
和 q
2
,
Q
3
和 q
4
, 和 q
5
和 q
6
I
C
= 10ma, v
CE
= 3v 一个 0.9 1.0 1.1
输入 补偿 电压, v
OS
, (q
1
和 q
2
), (q
3
和 q
4
),
(q
5
和 q
6
)
I
C
= 10ma, v
CE
= 3v 一个 - 1.5 5 mV
输入 补偿 电流, i
C
, (q
1
和 q
2
), (q
3
和 q
4
),
(q
5
和 q
6
)
I
C
= 10ma, v
CE
= 3v 一个 - 5 25
µ
一个
输入 补偿 电压 tc, dv
OS
/dt, (q1 和 q2, q3 和 q
4
,
Q
5
和 q
6
)
I
C
= 10ma, v
CE
= 3v C - 0.5 -
µ
v/
o
C
集电级 至 集电级 泄漏, i
trench-泄漏
∆
V
测试
= 5v B - 0.01 - nA
便条:
2. 测试 水平的: 一个. 生产 测试, b. typical 或者 有保证的 限制 为基础 在 characterizati在, c. 设计 典型 为 信息 only.
HFA3101
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