©2001 仙童 半导体 公司 hgtg30n60b3d, HGT4E30N60B3DS rev. B1
处理 预防措施 为 IGBTs
Insulated 门 双极 晶体管 是 敏感 至
门-绝缘 损坏 用 这 静电的 释放 的
活力 通过 这 设备. 当 处理 这些 设备,
小心 应当 是 exercised 至 使确信 那 这 静态的 承担 建造
在 这 handler’s 身体 电容 是 不 释放 通过
这 设备. 和 恰当的 处理 和 应用 程序,
不管怎样, IGBTs 是 目前 正在 extensively 使用 在
生产 用 numerous 设备 manufacturers 在 军队,
工业的 和 消费者 产品, 和 virtually 非 损坏
问题 预定的 至 静电的 释放. IGBTs 能 是
处理 safely 如果 这 下列的 基本 预防措施 是 带去:
1. 较早的 至 组装 在 一个 电路, 所有 leads 应当 是 保持
短接 一起 也 用 这 使用 的 metal shorting springs
或者 用 这 嵌入 在 传导性的 材料 此类 作
“ECCOSORBD™ LD26” 或者 相等的.
2. 当 设备 是 移除 用 hand 从 它们的 carriers, 这
hand 正在 使用 应当 是 grounded 用 任何 合适的
意思 - 为 例子, 和 一个 metallic wristband.
3. Tips 的 焊接 irons 应当 是 grounded.
4. 设备 应当 从不 是 inserted 在 或者 移除 从
电路 和 电源 在.
5.
门 电压 比率
- 从不 超过 这 门-电压 比率
的 V
GEM
. Exceeding 这 评估 V
GE
能 结果 在 永久的
损坏 至 这 oxide layer 在 这 门 区域.
6.
门 末端
- 这 门 的 这些 设备 是
essentially 电容. 电路 那 leave 这 门
打开-短路 或者 floating 应当 是 避免. 这些
情况 能 结果 在 转变-在 的 这 设备 预定的 至 电压
buildup 在 这 输入 电容 预定的 至 泄漏 电流 或者
pickup.
7.
门 保护
- 这些 设备 做 不 有 一个 内部的
大而单一的 齐纳 二极管 从 门 至 发射级. 如果 门
保护 是 必需的 一个 外部 齐纳 是 推荐.
运行 频率 信息
运行 频率 信息 为 一个 典型 设备
(图示 3) 是 提交 作 一个 手册 为 estimating 设备
效能 为 一个 明确的 应用. 其它 典型
频率 vs 集电级 电流 (i
CE
) plots 是 可能 使用
这 信息 显示 为 一个 典型 单位 在 计算数量 5, 6, 7, 8, 9
和 11. 这 运行 频率 plot (图示 3) 的 一个 典型
设备 显示 f
MAX1
或者 f
MAX2
; whichever 是 小 在 各自
要点. 这 信息 是 为基础 在 度量 的 一个
典型 设备 和 是 bounded 用 这 最大 评估
接合面 温度.
f
MAX1
是 定义 用 f
MAX1
= 0.05/(t
d(止)i
+t
d(在)i
).
Deadtime (这 denominator) 有 被 arbitrarily 使保持 至 10%
的 这 在-状态 时间 为 一个 50% 职责 因素. 其它 定义
是 可能. t
d(止)i
和 t
d(在)i
是 定义 在 图示 20.
设备 转变-止 延迟 能 establish 一个 额外的 频率
限制的 情况 为 一个 应用 其它 比 T
JM
.t
d(止)i
是 重要的 当 controlling 输出 波纹 下面 一个 lightly
承载 情况.
f
MAX2
是 定义 用 f
MAX2
=(p
D
-p
C
)/(e
止
+E
在
). 这
容许的 消耗 (p
D
) 是 定义 用 P
D
=(t
JM -
T
C
)/r
θ
JC
.
这 总 的 设备 切换 和 传导 losses 必须 不
超过 P
D
. 一个 50% 职责 因素 是 使用 (图示 3) 和 这
传导 losses (p
C
) 是 近似 用 P
C
=(v
CE
xI
CE
)/2.
E
在
和 E
止
是 定义 在 这 切换 波形
showninfigure20.e
在
是 这 integral 的 这 instantaneous
电源 丧失 (i
CE
xV
CE
) 在 转变-在 和 E
止
是 这
integral 的 这 instantaneous 电源 丧失 (i
CE
xV
CE
) 在
转变-止. 所有 tail losses 是 包含 在 这 计算 为
E
止
; i.e., 这 集电级 电流 相等 零 (i
CE
=0).
测试 电路 和 波形
图示 19. INDUCTIVE 切换 测试 电路 图示 20. 切换 测试 波形
R
G
=3
Ω
L=1mH
V
DD
= 480V
+
-
HGTG30N60B3D
t
fI
t
d(止)i
t
rI
t
d(在)i
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
止
E
在
hgtg30n60b3d, HGT4E30N60B3DS
: 点此下载
