HGTG30N60C3D_集成电路资料查询网

©2001 仙童 半导体 公司 hgtg30n60c3d rev. b
图示 11. 转变-在 活力 丧失 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 12. 转变-止 活力 丧失 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 13. 运行 频率 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 14. 切换 safe 运行 范围
图示 15. 电容 vs 集电级 至 发射级
VOLTAGE
图示 16. 门 承担 波形
典型 效能 曲线
(持续)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
10 20 30 40
E
在
, 转变-在活力丧失 (mj)
V
GE
= 15v
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
50 60
T
J
= 150
o
c, r
G
= 3
Ω
, l = 100
µ
h, v
ce(pk)
= 480v
V
GE
= 10v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
E
止
, 转变-止活力丧失 (mj)
10 20 30 40 50
60
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0
T
J
= 150
o
c, r
G
= 3
Ω
, l = 100
µ
h, v
ce(pk)
= 480v
V
GE
= 10v 或者 15v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
510203040
10
100
500
T
J
= 150
o
c, t
C
= 75
o
C
R
G
= 3
Ω
, l = 100
µ
H
f
MAX2
= (p
D
- p
C
)/(e
在
+ e
止
)
P
D
= 容许的 消耗
P
C
= 传导 消耗
f
MAX1
= 0.05/(t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
(职责 因素 = 50%)
R
θ
JC
=
0.6
o
c/w
V
GE
= 15v
V
GE
= 10v
1
60
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0 100 200 300 400 500 600
0
50
100
150
200
250
限制 用
电路
T
J
= 150
o
c, v
GE
= 15v, l = 100
µ
H
C
OES
C
RES
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
0 5 10 15 20 25
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
c, 电容 (pf)
频率 = 400khz
C
IES
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
Q
G
, 门 承担 (nc)
I
G
(ref)
= 3.54ma, r
L
= 20
Ω
, t
C
= 25
o
C
0
240
120
360
480
600
15
12
9
6
3
V
CE
= 400v
V
CE
= 200v
V
CE
= 600v
0
0 40 80 120 160 200
HGTG30N60C3D

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©2001 仙童半导体公司 hgtg30n60c3d rev. b 图示 11. 转变-在活力丧失 vs 集电级至发射级电流图示 12. 转变-止活力丧失 vs 集电级至发射级电流图示 13. 运行频率 vs 集电级至发射级电流图示 14. 切换 safe 运行范围图示 15. 电容 vs 集电级至发射级 VOLTAGE 图示 16. 门承担波形典型效能曲线 (持续) I CE , 集电级至发射级电流 (一个) 0 10 20 30 40 E 在 , 转变-在活力丧失 (mj) V GE = 15v 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 50 60 T J = 150 o c, r G = 3 Ω , l = 100 µ h, v ce(pk) = 480v V GE = 10v I CE , 集电级至发射级电流 (一个) E 止 , 转变-止活力丧失 (mj) 10 20 30 40 50 60 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 0 T J = 150 o c, r G = 3 Ω , l = 100 µ h, v ce(pk) = 480v V GE = 10v 或者 15v I CE , 集电级至发射级电流 (一个) f 最大值 , 运行频率 (khz) 510203040 10 100 500 T J = 150 o c, t C = 75 o C R G = 3 Ω , l = 100 µ H f MAX2 = (p D - p C )/(e 在 + e 止 ) P D = 容许的消耗 P C = 传导消耗 f MAX1 = 0.05/(t d(止)i + t d(在)i ) (职责因素 = 50%) R θ JC = 0.6 o c/w V GE = 15v V GE = 10v 1 60 V CE , 集电级至发射级电压 (v) I CE , 集电级至发射级电流 (一个) 0 100 200 300 400 500 600 0 50 100 150 200 250 限制用电路 T J = 150 o c, v GE = 15v, l = 100 µ H C OES C RES V CE , 集电级至发射级电压 (v) 0 5 10 15 20 25 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000 c, 电容 (pf) 频率 = 400khz C IES V GE , 门至发射级电压 (v) V CE , 集电级至发射级电压 (v) Q G , 门承担 (nc) I G (ref) = 3.54ma, r L = 20 Ω , t C = 25 o C 0 240 120 360 480 600 15 12 9 6 3 V CE = 400v V CE = 200v V CE = 600v 0 0 40 80 120 160 200 HGTG30N60C3D

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