2
S
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
HGTG40N60B3 单位
集电级 至 发射级 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .bv
CES
600 V
集电级 电流 持续的
在 t
C
= 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C25
70 一个
在 t
C
= 110
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C110
40 一个
集电级 电流 搏动 (便条 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
CM
330 一个
门 至 发射级 电压 持续的. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GES
±
20 V
门 至 发射级 电压 搏动. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GEM
±
30 V
切换 safe 运行 范围 在 t
J
= 150
o
c, 图示 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SSOA 100a 在 600v
电源 消耗 总的 在 t
C
= 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
290 W
电源 消耗 减额 t
C
> 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.33 w/
o
C
反转 电压 avalanche 活力. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E
ARV
100 mJ
运行 和 存储 接合面 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
J
, t
STG
-55 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 为 焊接. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
260
o
C
短的 电路 承受 时间 (便条 2) 在 v
GE
= 15v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t
SC
2
µ
s
短的 电路 承受 时间 (便条 2) 在 v
GE
= 10v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t
SC
10
µ
s
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “Absolute 最大 Ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
2. V
ce(pk)
= 360v, t
J
= 125
o
c, r
G
= 3
Ω.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 发射级 损坏 电压 BV
CES
I
C
= 250
µ
一个, v
GE
= 0v 600 - - V
发射级 至 集电级 损坏 电压 BV
ECS
I
C
= 10ma, v
GE
= 0v 15 25 - V
集电级 至 发射级 泄漏 电流 I
CES
V
CE
= bv
CES
T
C
= 25
o
C - - 100
µ
一个
V
CE
= bv
CES
T
C
= 150
o
C - - 6.0 毫安
集电级 至 发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= i
C110
,
V
GE
= 15v
T
C
= 25
o
C - 1.4 2.0 V
T
C
= 150
o
C - 1.5 2.3 V
门 至 发射级 门槛 电压 V
ge(th)
I
C
= 250
µ
一个, v
CE
= v
GE
3.0 4.8 6.0 V
门 至 发射级 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
20V - -
±
100 nA
切换 soa SSOA T
J
= 150
o
C
R
G
= 3
Ω
V
GE
= 15v
l = 100
µ
H
V
CE
= 480v 200 - - 一个
V
CE
= 600v 100 - - 一个
门 至 发射级 plateau 电压 V
GEP
I
C
= i
C110
, v
CE
= 0.5 bv
CES
- 7.5 - V
在-状态 门 承担 Q
g(在)
I
C
= i
C110
,
V
CE
= 0.5 bv
CES
V
GE
= 15v - 250 330 nC
V
GE
= 20v - 335 435 nC
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 两个都 在 t
J
= 25
o
C
I
CE
= i
C110
V
CE
= 0.8 bv
CES
V
GE
= 15v
R
G
= 3
Ω
l = 100
µ
H
测试 电路 (图示 17)
-47 - ns
电流 上升 时间 t
rI
-35 - ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 170 200 ns
电流 下降 时间 t
fI
- 50 100 ns
转变-在 活力 E
在
- 1050 1200
µ
J
转变-止 活力 (便条 1) E
止
- 800 1400
µ
J
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