©2001 仙童 半导体 公司 hgtg11n120cnd rev. b
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
HGTG11N120CND 单位
集电级 至 发射级 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .BV
CES
1200 V
集电级 电流 持续的
在 t
C
= 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C25
43 一个
在 t
C
= 110
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C110
22 一个
集电级 电流 搏动 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
CM
80 一个
门 至 发射级 电压 持续的. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GES
±
20 V
门 至 发射级 电压 搏动 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .v
GEM
±
30 V
切换 safe 运行 范围 在 t
J
= 150
o
c (图示 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SSOA 55a 在 1200v
电源 消耗 总的 在 t
C
= 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
298 W
电源 消耗 减额 t
C
> 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.38 w/
o
C
运行 和 存储 接合面 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T
J
, t
STG
-55 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 为 焊接 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
260
o
C
短的 电路 承受 时间 (便条 2) 在 v
GE
= 15v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t
SC
8
µ
s
短的 电路 承受 时间 (便条 2) 在 v
GE
= 12v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t
SC
15
µ
s
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
2. V
ce(pk)
= 840v, t
J
= 125
o
c, r
G
= 10
Ω
.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 发射级 损坏 电压 BV
CES
I
C
= 250
µ
一个, v
GE
= 0v 1200 - - V
集电级 至 发射级 泄漏 电流 I
CES
V
CE
= 1200v T
C
= 25
o
C - - 250
µ
一个
T
C
= 125
o
C - 300 -
µ
一个
T
C
= 150
o
C - - 3.5 毫安
集电级 至 发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= 11a,
V
GE
= 15v
T
C
= 25
o
C - 2.1 2.4 V
T
C
= 150
o
C - 2.9 3.5 V
门 至 发射级 门槛 电压 V
ge(th)
I
C
= 90
µ
一个, v
CE
= v
GE
6.0 6.8 - V
门 至 发射级 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
20V - -
±
250 nA
切换 soa SSOA T
J
= 150
o
c, r
G
= 10
Ω,
V
GE
= 15v,
l = 400
µ
h, v
ce(pk)
= 1200v
55 - - 一个
门 至 发射级 plateau 电压 V
GEP
I
C
= 11a, v
CE
= 600v - 10.4 - V
在-状态 门 承担 Q
g(在)
I
C
= 11a,
V
CE
= 600v
V
GE
= 15v - 100 120 nC
V
GE
= 20v - 130 150 nC
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 在 t
J
= 25
o
c,
I
CE
= 11a,
V
CE
= 960v,
V
GE
= 15v,
R
G
= 10
Ω
,
l = 2mh,
测试 电路 (图示 20)
-2326ns
电流 上升 时间 t
rI
-1216ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 180 240 ns
电流 下降 时间 t
fI
- 190 220 ns
转变-在 活力 E
在
- 0.95 1.3 mJ
转变-止 活力 (便条 3) E
止
- 1.3 1.6 mJ
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