3
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 在 t
J
= 150
o
C
I
CE
= i
C110
V
CE
= 0.8 bv
CES
V
GE
= 15v
R
G
= 10
Ω
l = 1mh
测试 电路 (图示 17)
-2832ns
电流 上升 时间 t
rI
-2428ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 280 450 ns
电流 下降 时间 t
fI
- 108 210 ns
转变-在 活力 (便条 4) E
ON1
- 380 410
µ
J
转变-在 活力 (便条 4) E
ON2
- 1.0 1.1 mJ
转变-止 活力 (便条 3) E
止
- 1.2 1.7 mJ
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
- - 0.76
o
c/w
注释:
3. 转变-止 活力 丧失 (e
止
) 是 defined 作 这 integral 的 这 instantaneous 电源 丧失 开始 在 这 trailing 边缘 的 这 输入 脉冲波 和 ending
在 这 要点 在哪里 这 集电级 电流 相等 零 (i
CE
= 0a). 所有 设备 是 测试 每 电子元件工业联合会 标准 非. 24-1 方法 为 度量
的 电源 设备 转变-止 切换 丧失. 这个 测试 方法 生产 这 真实 总的 转变-止 活力 丧失.
4. 值 为 二 转变-在 丧失 情况 是 显示 为 这 convenience 的 这 电路 设计者. E
ON1
是 这 转变-在 丧失 的 这 IGBT 仅有的. E
ON2
是 这
转变-在 丧失 当 一个 典型 二极管 是 使用 在 这 测试 电路 和 这 二极管 是 在 这 一样 t
J
作 这 igbt. 这 二极管 类型 是 指定 在 图示 17.
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
图示 1. 直流 集电级 电流 vs 情况
温度
图示 2. 最小 切换 safe 运行 范围
图示 3. 运行 频率 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 4. 短的 电路 承受 时间
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
CE
, 直流 集电级 电流 (一个)
50
V
GE
= 15v
25 75 100 125 150
50
30
10
20
40
0
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
60
700
40
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
20
300 400200100 500 600
0
80
100
120
140
T
J
= 150
o
c, r
G
= 10
Ω
, v
GE
= 15v, l = 100
µ
H
0
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
2
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
10
5
1
100
4010 20
f
MAX1
= 0.05 / (t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
R
ØJC
= 0.76
o
c/w, 看 注释
P
C
= 传导 消耗
(职责 因素 = 50%)
f
MAX2
= (p
D
- p
C
) / (e
ON2
+ e
止
)
T
C
V
GE
110
o
C
10V
15V
75
o
C
110
o
C
75
o
C
10V
15V
T
J
= 150
o
c, r
G
= 10
Ω
,
l = 1mh, v
CE
= 480v
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
I
SC
, 顶峰 短的 电路 电流 (一个)
t
SC
, 短的 电路 承受 时间 (
µ
s)
10 11 12 13 14 15
2
4
6
8
150
200
250
300
350
t
SC
I
SC
10
12
14
400
450
V
CE
= 360v, r
G
= 10
Ω
, t
J
= 125
o
C
hgtg20n60c3, hgtp20n60c3, hgt1s20n60c3s
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