3-51
specifications hgtp14n40f3vl
电的 specifications
T
C
= +25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况
限制
UNITSMIN 典型值 最大值
集电级-发射级 损坏 电压 BV
CES
I
C
= 10ma,
V
GE
= 0v
T
C
= +150
o
C 345 370 415 V
T
C
= +25
o
C 350 375 420 V
T
C
= -40
o
C 355 380 425 V
集电级-发射级 clamp bkdn. 电压 BV
ce(cl)
I
C
= 10a T
C
= +150
o
C 350 385 430 V
发射级-集电级 损坏 电压 BV
ECS
I
C
= 1.0ma T
C
= +25
o
c24--v
集电级-发射级 泄漏 电流 I
CES
V
CE
= 250v T
C
= +25
o
c-- 50
µ
一个
V
CE
= 250v T
C
= +150
o
C - - 250
µ
一个
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= 10a
V
GE
= 4.5v
T
C
= +25
o
C - - 2.0 V
T
C
= +150
o
C - - 2.3 V
门-发射级 门槛 电压 V
ge(th)
I
C
= 1.0ma
V
CE
= v
GE
T
C
= +25
o
C 1.0 1.5 2.0 V
门-发射级 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
10V - -
±
10
µ
一个
门-发射级 损坏 电压 BV
GES
I
GES
=
±
1.0ma
±
12 - - V
电流 转变-止 时间-inductive 加载 t
d(止)i
+
t
f(止)i
R
L
= 32
Ω
, i
C
= 10a, r
G
= 25
Ω
,
l = 550
µ
h, v
CL
= 320v, v
GE
= 5v,
T
C
= +125
o
C
-1216
µ
s
inductive 使用 测试 UIS l = 2.3mh,
V
G
= 5v,
图示 13
T
C
= +150
o
c12--一个
T
C
= +25
o
c17--一个
热的 阻抗 R
θ
JC
- 1.5 -
o
c/w
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