HI1-200/883_集成电路资料查询网

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消逝 特性
消逝 维度:
54 毫英寸 x 79mils x 19 毫英寸
敷金属:
类型: 铝
厚度: 16k
Å
±
2k
Å
glassivation:
类型: 渗氮 在 silox
silox 厚度: 12k
Å
±
2k
Å
渗氮 厚度: 3.5k
Å
±
1k
Å
消逝 连结:
材料: 金/硅 eutectic 合金
温度: 陶瓷的 插件 - 460°c (最大值)
温度:metal 能 - 420°c (最大值)
worst 情况 电流 密度:
2 x 10
5
一个/cm
2
在 25ma
敷金属 掩饰 布局
hi-200
v-
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在 1
输出 1
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91012
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hi-200/883

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11 消逝特性消逝维度: 54 毫英寸 x 79mils x 19 毫英寸敷金属: 类型: 铝厚度: 16k Å ± 2k Å glassivation: 类型: 渗氮在 silox silox 厚度: 12k Å ± 2k Å 渗氮厚度: 3.5k Å ± 1k Å 消逝连结: 材料: 金/硅 eutectic 合金温度: 陶瓷的插件 - 460°c (最大值) 温度:metal 能 - 420°c (最大值) worst 情况电流密度: 2 x 10 5 一个/cm 2 在 25ma 敷金属掩饰布局 hi-200 v- V REF 在 1 输出 1 4 5 6 7 8 3 地一个 2 一个 1 V+ 91012 在 2 输出 2 hi-200/883

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