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消逝 特性
消逝 维度:
160 毫英寸 x 140 毫英寸
敷金属:
类型: Al
厚度: 10k
Å
±
1k
Å
基质 潜在的
V+
passivation:
类型: 渗氮 在 silox
渗氮 厚度: 8k
Å
silox 厚度: 7k
Å
晶体管 计数:
238
处理:
cmos metal 门
敷金属 掩饰 布局
HIN211
T3
输出
T1
输出
T2
输出
R2
在
R2
输出
T2
在
T1
在
R1
输出
R1
在
地
V
CC
C1+
V+
c1-
C2+
c2-
v-
R5
在
R5
输出
T3
在
T4
在
R4
输出
R4
在
ENSHD
T4
输出
R3
在
R3
输出
hin202, hin206, hin207,hin208, hin211, hin213

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11 消逝特性消逝维度: 160 毫英寸 x 140 毫英寸敷金属: 类型: Al 厚度: 10k Å ± 1k Å 基质潜在的 V+ passivation: 类型: 渗氮在 silox 渗氮厚度: 8k Å silox 厚度: 7k Å 晶体管计数: 238 处理: cmos metal 门敷金属掩饰布局 HIN211 T3 输出 T1 输出 T2 输出 R2 在 R2 输出 T2 在 T1 在 R1 输出 R1 在地 V CC C1+ V+ c1- C2+ c2- v- R5 在 R5 输出 T3 在 T4 在 R4 输出 R4 在 ENSHD T4 输出 R3 在 R3 输出 hin202, hin206, hin207,hin208, hin211, hin213

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