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标准-门 mosfets 是 正常情况下 推荐 为
使用 和 这 hip6008. 不管怎样, 逻辑-水平的 门 mosfets
能 是 使用 下面 特定的 circumstances. 这 输入 电压,
upper 门 驱动 水平的, 和 这 场效应晶体管’s 绝对 门-至-
源 电压 比率 决定 whether 逻辑-水平的
mosfets 是 适合的.
图示 10 显示 这 upper 门 驱动 (激励 管脚) 有提供的
用 一个 自举 电路 从 V
CC
. 这 激励 电容, C
激励
,
develops 一个 floating 供应 电压 关联 至 这 阶段
管脚. 这个 供应 是 refreshed 各自 循环 至 一个 电压 的 v
CC
较少 这 激励 二极管 漏出 (v
D
) 当 这 肖特基 二极管, d2,
conducts. 逻辑-水平的 mosfets 能 仅有的 是 使用 如果 这
场效应晶体管’s 绝对 门-至-源 电压 比率 超过
这 最大 电压 应用 至 v
CC
.
图示 11 显示 这 upper 门 驱动 有提供的 用 一个 直接
连接 至 v
CC
. 这个 选项 应当 仅有的 是 使用 在
转换器 系统 在哪里 这 主要的 输入 电压 是 + 5VDC 或者
较少. 这 顶峰 upper 门-至-源 电压 是 大概
V
CC
较少 这 输入 供应. 为 +5V 主要的 电源 和 + 12VDC
为 这 偏差, 这 门-至-源 电压 的 q1 是 7v. 一个 逻辑-
水平的 场效应晶体管 是 一个 好的 选择 为 Q1 下面 这些 情况
肖特基 选择
rectifier d2 conducts 当 这 upper 场效应晶体管 q1 是 止.
这 二极管 应当 是 一个 肖特基 类型 为 低 电源 losses.
这 电源 消耗 在 这 肖特基 rectifier 是
近似 用:
在 增加 至 电源 消耗, 包装 选择 和
散热器 (所需的)东西 是 这 主要的 设计 tradeoffs 在
choosing 这 肖特基 rectifier. 自从 这 三 factors 是
interrelated, 这 选择 处理 是 一个 iterative 程序.
这 最大 接合面 温度 的 这 rectifier 必须
仍然是 在下 这 生产者’s specified 值, 典型地
125
o
c. 用 使用 这 包装 热的 阻抗
规格 和 这 肖特基 电源 消耗 等式
(显示 在之上), 这 接合面 温度 的 这 rectifier 能
是 estimated. 是 确信 至 使用 这 有 airflow 和
包围的 温度 至 决定 这 接合面 温度
上升. hip6008 直流-直流 转换器 应用 电路.
P
COND
=I
O
2
xr
DS 在
()
xD
P
SW
=
1
2
---
I
O
xV
在
xt
SW
xFs
Where: D 是 这 职责 循环 + V
输出
/v
在
,
t
SW
是 这 切换 间隔, 和
Fs 是 这 切换 频率
+12V
HIP6008
地
UGATE
阶段
激励
VCC
+5v 或者 +12v
便条:
C
激励
D
激励
Q1
D2
+
-
图示 10. upper 门 驱动 - 自举 选项
V
g-s
≈
V
CC
-v
D
V
D
+
-
+12V
HIP6008
地
UGATE
阶段
激励
VCC
+5v 或者 较少
便条:
Q1
D2
+
-
igure 11. upper 门 驱动 - 直接 v
CC
驱动 选项
V
g-s
≈
V
CC
-5v
P
COND
=I
O
xV
f
x 1 - d
()
在哪里: d 是 这 职责 循环 = V
O
/v
在
, 和
V
f
是 这 肖特基 向前 电压 漏出
HIP6008
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