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函数的 描述
Initialization
这 hip6004a automatically initializes 在之上 receipt 的
电源. 特定的 sequencing 的 这 输入 供应 是 不
需要. 这 电源-在 重置 (por) 函数 continually
monitors 这 输入 供应 电压. 这 por monitors 这
偏差 电压 在 这 v
CC
管脚 和 这 输入 电压 (v
在
) 在
这 ocset 管脚. 这 水平的 在 ocset 是 equal 至 v
在
较少 一个
fixed 电压 漏出 (看 在-电流 保护). 这 por
函数 initiates 软 开始 运作 之后 两个都 输入 供应
电压 超过 它们的 por 门槛. 为 运作 和 一个
单独的 +12v 电源 源, v
在
和 v
CC
是 相等的 和
这 +12v 电源 源 必须 超过 这 rising v
CC
门槛 在之前 por initiates 运作.
软 开始
这 por 函数 initiates 这 软 开始 sequence. 一个 内部的
10
µ
一个 电流 源 charges 一个 外部 电容 (c
SS
) 在
这 ss 管脚 至 4v. 软 开始 clamps 这 错误 放大器 输出
(竞赛 管脚) 和 涉及 输入 (+ 终端 的 错误 放大) 至 这
ss 管脚 电压. 图示 3 显示 这 软 开始 间隔 和
C
SS
= 0.1
µ
f. initially 这 clamp 在 这 错误 放大器 (竞赛
管脚) 控制 这 converter’s 输出 电压. 在 t
1
在 图示 3, 这
ss 电压 reaches 这 valley 的 这 振荡器’s triangle 波.
这 oscillator’s triangular 波形 是 对照的 至 这 ramping
错误 放大器 电压. 这个 发生 阶段 脉冲 的
增加 宽度 那 承担 这 输出 电容(s). 这个
间隔 的 增加 脉冲波 宽度 持续 至 t
2
. 和 sufficient
输出 电压, 这 clamp 在 这 涉及 输入 控制 这
输出 电压. 这个 是 这 间隔 在 t
2
和 t
3
在 图示 3.
在 t
3
这 ss 电压 超过 这 dacout 电压 和 这
输出 电压 是 在 规章制度. 这个 方法 提供 一个 迅速
和 控制 输出 电压 上升. 这 pgood 信号 toggles
‘high’ 当 这 输出 电压 (v
SEN
管脚) 是 在里面
±
5% 的
dacout. 这 2% hysteresis 建造 在 这 电源 好的
comparators 阻止 pgood 振动 预定的 至 名义上的
输出 电压 波纹.
在-电流 保护
这 在-电流 函数 保护 这 转换器 从 一个
短接 输出 用 使用 这 upper 场效应晶体管’s 在-阻抗,
r
ds(在)
至 监控 这 电流. 这个 方法 enhances 这
转换器’s 效率 和 减少 费用 用 eliminating 一个
电流 感觉到 电阻.
这 在-电流 函数 循环 这 软-开始 函数 在 一个
hiccup 模式 至 提供 故障 保护. 一个 电阻 (r
OCSET
)
programs 这 在-电流 trip 水平的. 一个 内部的 200
µ
一个 电流
下沉 develops 一个 电压 横过 r
OCSET
那 是 关联 至
V
在
. 当 这 电压 横过 这 upper 场效应晶体管 (也
关联 至 v
在
) 超过 这 电压 横过 r
OCSET
, 这
在-电流 函数 initiates 一个 软-开始 sequence. 这 软-
开始 函数 discharges c
SS
和 一个 10
µ
一个 电流 下沉 和
inhibits PWM 运作. 这 软-开始 函数 recharges C
SS
,
和 pwm 运作 重新开始 和 这 错误 放大器 clamped
至 这 ss 电压. 应当 一个 超载 出现 当 recharging
C
SS
, 这 软 开始 函数 inhibits pwm 运作 当 全部地
charging c
SS
至 4v 至 完全 它的 循环. 图示 4 显示 这个
运作 和 一个 超载 情况. 便条 那 这 inductor
电流 增加 至 在 15a 在 这 c
SS
charging 间隔
和 导致 一个 在-电流 trip. 这 转换器 dissipates 非常
little 电源 和 这个 方法. 这 量过的 输入 电源 为 这
情况 的 图示 4 是 2.5w.
这 在-电流 函数 将 trip 在 一个 顶峰 inductor 电流
(i
顶峰)
决定 用:
在哪里 I
OCSET
是 这 内部的 OCSET 电流 源 (200
µ
一个
典型). 这 oc trip 要点 varies mainly 预定的 至 这
MOSFET’s r
ds(在)
变化. 至 避免 在-电流 tripping
在 这 正常的 运行 加载 范围, find 这 R
OCSET
电阻
从 这 等式 在之上 和:
1. 这 最大 r
ds(在)
在 这 最高的 接合面 温度.
2. 这 最小 i
OCSET
从 这 规格 表格.
3. 决定 i
顶峰
为 ,
在哪里
∆
i 是 这 输出 inductor 波纹 电流.
0V
0V
0V
时间 (5ms/div.)
软-开始
(1v/div.)
输出
(1v/div.)
VOLTAGE
t
2
t
3
PGOOD
(2v/div.)
t
1
图示 3. 软 开始 间隔
输出 inductor
软-开始
0A
0V
时间 (20ms/div.)
5A
10A
15A
2V
4V
图示 4. 在-电流 运作
I
顶峰
I
OCSET
R
OCSET
•
r
DS 在
()
---------------------------------------------------=
I
顶峰
I
输出 最大值
()
∆
I
()
2
⁄
+
>
HIP6004A
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