一个 的 这 参数 限制的 这 转换器’s 回馈 至
一个 加载 瞬时 是 这 时间 必需的 至 改变 这 inductor
电流. 给 一个 sufficiently 快 控制 循环 设计, 这
hip6004b 将 提供 也 0% 或者 100% 职责 循环 在
回馈 至 一个 加载 瞬时. 这 回馈 时间 是 这 时间
必需的 至 回转 这 inductor 电流 从 一个 最初的 电流
值 至 这 瞬时 电流 水平的. 在 这个 间隔 这
区别 在 这 inductor 电流 和 这 瞬时
电流 水平的 必须 是 有提供的 用 这 输出 电容.
降低 这 回馈 时间 能 降低 这 输出
电容 必需的.
这 回馈 时间 至 一个 瞬时 是 不同的 为 这
应用 的 加载 和 这 除去 的 加载. 这 下列的
equations 给 这 近似的 回馈 时间 间隔 为
应用 和 除去 的 一个 瞬时 加载:
在哪里: i
TRAN
是 这 瞬时 加载 电流 步伐, t
上升
是 这
回馈 时间 至 这 应用 的 加载, 和 t
下降
是 这
回馈 时间 至 这 除去 的 加载. 和 一个 +5v 输入
源, 这 worst 情况 回馈 时间 能 是 也 在 这
应用 或者 除去 的 加载 和 依赖 在之上 这
dacout 设置. 是 确信 至 审查 两个都 的 这些 equations
在 这 最小 和 最大 输出 水平 为 这 worst
情况 回馈 时间. 和 一个 +12v 输入, 和 输出 电压
水平的 equal 至 dacout, t
下降
是 这 longest 回馈 时间.
输入 电容 选择
使用 一个 混合 的 输入 绕过 电容 至 控制 这 电压
越过 横过 这 mosfets. 使用 小 陶瓷的
电容 为 高 频率 解耦 和 大(量) 电容
至 供应 这 电流 需要 各自 时间 q
1
转变 在. 放置 这
小 陶瓷的 电容 physically 关闭 至 这 mosfets
和 在 这 流 的 q
1
和 这 源 的 q
2
.
这 重要的 参数 为 这 大(量) 输入 电容 是
这 电压 比率 和 这 rms 电流 比率. 为 可依靠的
运作, 选择 这 大(量) 电容 和 电压 和
电流 比率 在之上 这 最大 输入 电压 和
largest rms 电流 必需的 用 这 电路. 这 电容
电压 比率 应当 是 在 least 1.25 时间 更好 比 这
最大 输入 电压 和 一个 电压 比率 的 1.5 时间 是
一个 conservative 指导原则. 这 rms 电流 比率
必要条件 为 这 输入 电容 的 一个 buck 调整器 是
大概 1/2 这 直流 加载 电流.
为 一个 通过 孔 设计, 一些 electrolytic 电容
(panasonic hfq 序列 或者 nichicon pl 序列 或者 sanyo mv-gx
或者 相等的) 将 是 需要. 为 表面 挂载 设计,
固体的 tantalum 电容 能 是 使用, 但是 提醒 必须 是
exercised 和 关于 至 这 电容 surge 电流 比率.
这些 电容 必须 是 有能力 的 处理 这 surge-
电流 在 电源-向上. 这 tps 序列 有 从 avx, 和
这 593d 序列 从 sprague 是 两个都 surge 电流 测试.
场效应晶体管 选择/仔细考虑
这 hip6004b 需要 2 n-频道 电源 mosfets. 这些
应当 是 选择 为基础 在之上 r
ds(在)
, 门 供应
(所需的)东西, 和 热的 管理 (所需的)东西.
在 高-电流 产品, 这 场效应晶体管 电源 消耗,
包装 选择 和 散热器 是 这 首要的 设计
factors. 这 电源 消耗 包含 二 丧失 组件;
传导 丧失 和 切换 丧失. 这 传导 losses 是
这 largest 组件 的 电源 消耗 为 两个都 这 upper
和 这 更小的 mosfets. 这些 losses 是 distributed 在
这 二 mosfets 符合 至 职责 因素 (看 这 equations
在下). 仅有的 这 upper 场效应晶体管 有 切换 losses, 自从
这 肖特基 整流器 clamps 这 切换 node 在之前 这
同步的 整流器 转变 在. 这些 equations 假设 直线的
电压-电流 transitions 和 做 不 adequately 模型 电源
丧失 预定的 这 反转-恢复 的 这 更小的 场效应晶体管’s 身体
二极管. 这 门-承担 losses 是 dissipated 用 这 hip6004b
和 don't 热温 这 mosfets. 不管怎样, 大 门-承担
增加 这 切换 间隔, t
SW
这个 增加 这 upper
场效应晶体管 切换 losses. 确保 那 两个都 mosfets 是
在里面 它们的 最大 接合面 温度 在 高 包围的
温度 用 calculating 这 温度 上升 符合 至
包装 热的-阻抗 规格. 一个 独立的 散热器
将 是 需要 取决于 在之上 场效应晶体管 电源, 包装
类型, 包围的 温度 和 空气 流动.
标准-门 mosfets 是 正常情况下 推荐 为
使用 和 这 hip6004b. 不管怎样, 逻辑-水平的 门
mosfets 能 是 使用 下面 特定的 circumstances. 这
输入 电压, upper 门 驱动 水平的, 和 这 场效应晶体管’s
绝对 门-至-源 电压 比率 决定 whether
逻辑-水平的 mosfets 是 适合的.
图示 9 显示 这 upper 门 驱动 (激励 管脚) 有提供的 用 一个
自举 电路 从 v
CC
. 这 激励 电容, c
激励
develops 一个 floating 供应 电压 关联 至 这 阶段
管脚. 这个 供应 是 refreshed 各自 循环 至 一个 电压 的 v
CC
较少 这 激励 二极管 漏出 (v
D
) 当 这 更小的 场效应晶体管, q
2
转变 在. 逻辑-水平的 mosfets 能 仅有的 是 使用 如果 这
场效应晶体管’s 绝对 门-至-源 电压 比率 超过
这 最大 电压 应用 至 v
CC
.
t
上升
=
l x i
TRAN
V
在
- v
输出
t
下降
=
l x i
TRAN
V
输出
P
UPPER
= io
2
x r
ds(在)
x d +
1
2
io x v
在
x t
SW
x f
S
P
更小的
= io
2
x r
ds(在)
x (1 - d)
在哪里: d 是 这 职责 循环 = v
输出
/ v
在
,
t
SW
是 这 转变 在 时间, 和
F
S
是 这 切换 频率.
HIP6004B
: 点此下载
