4-13
直线的 输出 电容
这 输出 电容 为 这 直线的 regulators 提供
动态 加载 电流. 因此 电容 c
OUT3
和 c
OUT4
应当 是 选择 为 瞬时 加载 规章制度.
pwm 输出 inductor 选择
各自 pwm 转换器 需要 一个 输出 inductor. 这
输出 inductor 是 选择 至 满足 这 输出 电压 波纹
(所需的)东西 和 sets 这 转换器’s 回馈 时间 至 一个
加载 瞬时. additionally, pwm2 输出 inductor 有 至
满足 这 最小 值 criteria 为 循环 稳固 作
描述 在 paragraph ‘
pwm2 控制 反馈
补偿
’. 这 inductor 值 确定 这
converter’s 波纹 电流 和 这 波纹 电压 是 一个 函数
的 这 波纹 电流. 这 波纹 电压 和 电流 是
近似 用 这 下列的 equations:
增加 这 值 的 电感 减少 这 波纹 电流
和 电压. 不管怎样, 这 大 电感 值 增加
这 转换器’s 回馈 时间 至 一个 加载 瞬时.
一个 的 这 参数 限制的 这 转换器’s 回馈 至 一个
加载 瞬时 是 这 时间 必需的 至 改变 这 inductor
电流. 给 一个 sufficiently 快 控制 循环 设计, 这
hip6020a 将 提供 也 0% 或者 100% 职责 循环 在
回馈 至 一个 加载 瞬时. 这 回馈 时间 是 这 时间
间隔 必需的 至 回转 这 inductor 电流 从 一个 最初的
电流 值 至 这 邮递-瞬时 电流 水平的. 在 这个
间隔 这 区别 在 这 inductor 电流 和 这
瞬时 电流 水平的 必须 是 有提供的 用 这 输出
电容(s). 降低 这 回馈 时间 能 降低 这
输出 电容 必需的.
这 回馈 时间 至 一个 瞬时 是 不同的 为 这
应用 的 加载 和 这 除去 的 加载. 这 下列的
equations 给 这 近似的 回馈 时间 间隔 为
应用 和 除去 的 一个 瞬时 加载:
在哪里: i
TRAN
是 这 瞬时 加载 电流 步伐, t
上升
是 这
回馈 时间 至 这 应用 的 加载, 和 t
下降
是 这
回馈 时间 至 这 除去 的 加载. 是 确信 至 审查 两个都
的 这些 equations 在 这 最小 和 最大 输出
水平 为 这 worst 情况 回馈 时间.
输入 电容 选择
这 重要的 参数 为 这 大(量) 输入 电容 是 这
电压 比率 和 这 rms 电流 比率. 为 可依靠的
运作, 选择 大(量) 输入 电容 和 电压 和
电流 比率 在之上 这 最大 输入 电压 和 largest
rms 电流 必需的 用 这 电路. 这 电容 电压
比率 应当 是 在 least 1.25 时间 更好 比 这
最大 输入 电压. 这 RMS 电流 比率 必要条件
为 这 输入 电容 的 一个 buck 调整器 是 大概
1/2 的 这 summation 的 这 直流 输出 加载 电流.
使用 一个 混合 的 输入 绕过 电容 至 控制 这 电压
越过 横过 这 mosfets. 使用 陶瓷的 电容
为 这 高 频率 解耦 和 大(量) 电容 至
供应 这 rms 电流. 小 陶瓷的 电容 能 是
放置 非常 关闭 至 这 upper 场效应晶体管 至 压制 这
电压 induced 在 这 parasitic 电路 阻抗.
为 一个 通过-孔 设计, 一些 electrolytic 电容
(panasonic hfq 序列 或者 nichicon pl 序列 或者 sanyo
mv-gx 或者 相等的) 将 是 需要. 为 表面 挂载
设计, 固体的 tantalum 电容 能 是 使用, 但是 提醒
必须 是 exercised 和 关于 至 这 电容 surge 电流
比率. 这些 电容 必须 是 有能力 的 处理 这
surge 电流 在 电源-向上. 这 tps 序列 有 从
avx, 和 这 593d 序列 从 sprague 是 两个都 surge
电流 测试.
场效应晶体管 选择/仔细考虑
这 hip6020a 需要 5 外部 晶体管. 三
n-频道 mosfets 是 运用 用 这 pwm
转换器. 这 gtl 和 记忆 直线的 控制者 能
各自 驱动 一个 场效应晶体管 或者 一个 NPN 双极 作 一个 通过 晶体管.
所有 这些 晶体管 应当 是 选择 为基础 在之上
r
ds(在)
, 电流 增益, 饱和 电压, 门 供应
(所需的)东西, 和 热的 管理 仔细考虑.
pwm1 场效应晶体管 选择 和 仔细考虑
在 高-电流 pwm 产品, 这 场效应晶体管 电源
消耗, 包装 选择 和 散热器 是 这 首要的
设计 factors. 这 电源 消耗 包含 二 丧失
组件; 传导 丧失 和 切换 丧失. 这些 losses
是 distributed 在 这 upper 和 更小的 mosfets
符合 至 这 职责 因素. 这 传导 losses 是 这
主要的 组件 的 电源 消耗 为 这 更小的 mosfets.
仅有的 这 upper 场效应晶体管 有 重大的 切换 losses, 自从
这 更小的 设备 转变 在 和 止 在 near 零 电压.
这 equations 提交 假设 直线的 电压-电流
transitions 和 做 不 模型 电源 丧失 预定的 至 这 反转
恢复 的 这 更小的 场效应晶体管’s 身体 二极管. 这 门
承担 losses 是 dissipated 用 这 hip6020a 和 don't
热温 这 mosfets. 不管怎样, 大 门-承担 增加
这 切换 时间, t
SW
, 这个 增加 这 upper 场效应晶体管
切换 losses. 确保 那 两个都 MOSFETs 是 在里面 它们的
最大 接合面 温度 在 高 包围的 温度
用 calculating 这 温度 上升 符合 至 包装
热的 阻抗 specifications. 一个 独立的 散热器 将
是 需要 取决于 在之上 场效应晶体管 电源, 包装
类型, 包围的 温度 和 空气 flow.
∆
I
V
在
V
输出
–
F
S
L
×
--------------------------------
V
输出
V
在
----------------
×
=
V
输出
∆
I
∆
等效串联电阻
×
=
t
上升
L
O
I
TRAN
×
V
在
V
输出
–
--------------------------------=
t
下降
L
O
I
TRAN
×
V
输出
-------------------------------=
HIP6020A
: 点此下载
