7-62
HIP5061
图示 21. 典型 时钟 频率 百分比 改变
vs 供应 电压 v
DD
在 0
o
c 和 +100
o
C
图示 22. 典型 dmos 晶体管 流 至 源
阻抗 vs 温度
图示 23. 典型 dmos 晶体管 流 至 源
阻抗 vs 流 电流 i
流
在
0
o
c 和 +100
o
C
图示 24. 典型 dmos 晶体管 流 至 源
泄漏 电流 vs 温度
图示 25. 典型 跨导 从 v
C
管脚 至
dmos 晶体管 流 (顶峰 电流)
vs 温度
图示 26. 典型 电压 至 电流 转换器
涉及 电压 vs 温度
典型 效能 曲线
(持续)
10.8 11.2 11.6 12.0 12.4 12.8 13.2 13.6 14.0
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DD
(v)
百分比 频率 改变
T
一个
= 0
o
C
T
一个
= +100
o
C
V
DD
= v
G
= 12v, v
FB
= 5.1v
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
包围的 温度 (
o
c)
dmos 晶体管 流 至
源 阻抗 (
Ω
)
V
DD
= v
G
= 10.8v, i
流
= 5a
0 1 2 3 4 5 6 7
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.20
0.22
0.24
0.26
0.28
0.30
dmos 晶体管 流 电流 (一个)
dmos 晶体管 流 至
T
一个
= 0
o
C
T
一个
= +100
o
C
V
DD
= v
G
= 10.8v, v
FB
= 5.1v
源 阻抗 (
Ω
)
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
包围的 温度 (
o
c)
dmos traisistor 泄漏 电流 (
µ
一个)
V
DD
= 60v
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
包围的 温度 (
o
c)
跨导 (一个/v)
V
DD
= v
G
= 12v
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
2.74
2.76
2.78
2.80
2.82
2.84
2.86
2.88
2.90
包围的 温度 (
o
c)
涉及 电压 (v)
V
DD
= v
G
= 12v, i
流
= 0.25a
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