3
绝对 最大 比率 热的 信息
供应 电压, v
dd,
V
HB
-v
HS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至 18v
li 和 hi 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -3v 至 v
DD
+0.3v
电压 在 lo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.3v 至 v
DD
+0.3v
电压 在 ho . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
HS
-0.3v 至 v
HB
+0.3v
电压 在 hs (持续的) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -1v 至 110v
电压 在 hb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +118V
平均 电流 在 v
DD
至 hb 二极管 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100ma
静电释放 classification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 类 1 (1kv)
便条: 所有 电压 相关的 至 管脚 7, V
SS
除非 否则 指定
热的 阻抗
θ
JA
θ
JC
SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
o
c/w n/一个
soic 在 热的 传导性的 媒介. . . . . . . . . . . . . . . . . 70
o
c/w
hs 回转 比率 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10v/ns
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65
o
c 至 150
o
C
接合面 温度 范围. . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
c 至 150
o
C
含铅的 温度 (焊接 10s - 含铅的 tips 仅有的). . . . . . . 300
o
C
最大 电源 消耗 在 +25
o
c 在 自由 空气. . . . . . . . 780mW
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “Absolute 最大 Ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 operationofthe
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 推荐 运行 情况 的 这个 规格 是 不 暗指.
推荐 运行 情况
供应 电压, v
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +9v 至 +16.5v
电压 在 hs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -1v 至 100v
电压 在 hs. . . . . . . . . . . . . . . (repetitive 瞬时) -5v 至 105v
电压 在 hb V
HS
+8v 至 v
HS
+16.5v 和 v
DD
-1v 至 v
DD
+100V
电的 specifications
V
DD
= v
HB
= 12v, v
SS
= v
HS
= 0v, 非 加载 在 lo 或者 ho, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况
T
J
= 25
o
C
T
J
= - 40
o
C
至 125
o
C
UNITSMIN 典型值 最大值 最小值 最大值
供应 电流
V
DD
安静的 电流 I
DD
li = hi = 0v - 0.1 0.15 - 0.2 毫安
V
DD
运行 电流 I
DDO
f = 500khz - 1.5 2.5 - 3 毫安
总的 hb 安静的 电流 I
HB
li = hi = 0v - 0.1 0.15 - 0.2 毫安
总的 hb 运行 电流 I
HBO
f = 500khz - 1.5 2.5 - 3 毫安
hb 至 v
SS
电流, 安静的 I
HBS
V
HS
= v
HB
= 116.5v - 0.05 1 - 10
µ
一个
hb 至 v
SS
电流, 运行 I
HBSO
f = 500khz - 0.7 - - - 毫安
输入 管脚
低 水平的 输入 电压 门槛 V
IL
4 5.4 - 3 - V
高 水平的 输入 电压 门槛 V
IH
- 5.8 7 - 8 V
输入 电压 hysteresis V
IHYS
- 0.4 - - - V
输入 pulldown 阻抗 R
I
- 200 - 100 500 k
Ω
下面 电压 保护
V
DD
rising 门槛 V
DDR
7 7.3 7.8 6.5 8 V
V
DD
门槛 hysteresis V
DDH
- 0.5 - - - V
hb rising 门槛 V
HBR
6.5 6.9 7.5 6 8 V
hb 门槛 hysteresis V
HBH
- 0.4 - - - V
激励 strap 二极管
低-电流 向前 电压 V
DL
I
vdd-hb
= 100
µ
一个 - 0.45 0.55 - 0.7 V
高-电流 向前 电压 V
DH
I
vdd-hb
= 100ma - 0.7 0.8 - 1 V
动态 阻抗 R
D
I
vdd-hb
= 100ma - 0.8 1 - 1.5
Ω
lo 门 驱动器
低 水平的 输出 电压 V
OLL
I
LO
= 100ma - 0.25 0.3 - 0.4 V
高 水平的 输出 电压 V
OHL
I
LO
= -100ma, v
OHL
= v
DD
-v
LO
- 0.25 0.3 - 0.4 V
顶峰 pullup 电流 I
OHL
V
LO
= 0v - 2 - - - 一个
顶峰 pulldown 电流 I
OLL
V
LO
= 12v - 2 - - - 一个
ho 门 驱动器
低 水平的 输出 电压 V
OLH
I
HO
= 100ma - 0.25 0.3 - 0.4 V
高 水平的 输出 电压 V
OHH
I
HO
= -100ma, v
OHH
= v
HB
-v
HO
- 0.25 0.3 - 0.4 V
顶峰 pullup 电流 I
OHH
V
HO
= 0v - 2 - - - 一个
顶峰 pulldown 电流 I
OLH
V
HO
= 12v - 2 - - - 一个
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