HIP6601A_集成电路资料查询网

7
是 执行 至 确保 safe 运作 在 这 desired
频率 为 这 选择 mosfets. 这 电源 dissipated
用 这 驱动器 是 近似 作:
在哪里 f
sw
是 这 切换 频率 的 这 pwm 信号. v
U
和 v
L
代表 这 upper 和 更小的 门 栏杆 电压. q
U
和 q
L
是 这 upper 和 更小的 门 承担 决定 用
场效应晶体管 选择 和 任何 外部 电容 增加 至
这 门 管脚. 这 i
DDQ
V
CC
产品 是 这 安静的 电源
的 这 驱动器 和 是 典型地 30mw.
这 电源 消耗 approximation 是 一个 结果 的 电源
transferred 至 和 从 这 upper 和 更小的 门. 但是, 这
内部的 自举 设备 也 dissipates 电源 在-碎片
在 这 refresh 循环. expressing 这个 电源 在 条款 的
这 upper 场效应晶体管 总的 门 承担 是 explained 在下.
这 自举 设备 conducts当 这 更小的 场效应晶体管 或者
它的 身体 二极管 conducts 和 pulls 这 阶段 node 对着
地. 当 这 自举 设备conducts, 一个 电流 path 是
formed 那 refreshes 这 自举 电容. 自从 这
upper 门 是 驱动 一个 场效应晶体管, 这 承担 移除 从
这 自举 电容 是 相等的 至 这 总的 门 承担
的 这 场效应晶体管. 因此, the refresh 电源 必需的 用
这 自举 电容 是 equivalent 至 这 电源 使用 至
承担 这 门 电容 的 这 场效应晶体管.
在哪里 q
丧失
是 这 总的 承担 removed 从 这 自举
电容 和 提供 至 这 upper 门 加载.
这 1.05 因素 是 一个 纠正 因素 获得 从 这
下列的 描绘. 这 根基 电路 为 characterizing
这 驱动器 为 不同的 loading profiles 和 发生率 是
提供. c
U
和 c
L
是 这 upper 和 更小的 门 加载
电容. 解耦 电容 [0.15
µ
f] 是 增加 至 这
pvcc 和 vcc 管脚. 这 自举 电容 值 是
0.01
µ
f.
在 图示 1, c
U
和 c
L
值 是 这 一样 和 频率
是 varied 从 50khz 至 2mhz. pvcc 和 vcc 是 系
一起 至 一个 +12v 供应. 曲线 做 超过 这 800mw
截止, 但是 持续的 运作 在之上 这个 要点 是 不
推荐.
图示 2 显示 这 消耗 在 这 驱动器 和 3nf 加载
在 两个都 门 和 各自 individually. 便条 这 高等级的 upper
门 电源 消耗 这个 是 预定的 至 这 自举 设备
refresh 循环. 又一次 pvcc 和 vcc 是 系 一起 和 至
一个 +12v 供应.
测试 电路
这 impact 的 加载 在 电源 消耗 是 显示 在
图示 3. 频率 是 使保持常量 当 这 门
电容 是 varied 从 1nf 至 5nf. vcc 和 pvcc 是
系 一起 和 至 一个 +12v 供应. 计算数量 4 通过 6
显示 这 一样 描绘 为 这 hip6603a 和 一个
+5v 供应 在 pvcc 和 vcc 系 至 一个 +12v 供应.
p1.05f
sw
3
2
---
V
U
Q
U
V
L
Q
L
+


I
DDQ
V
CC
+=
P
REFRESH
1
2
---
f
SW
Q
丧失
V
PVCC
1
2
---
f
SW
Q
U
V
U
==
激励
UGATE
阶段
LGATE
PWM
PVCC
地
VCC
0.15
µ
F
0.15
µ
F
100k
Ω
2N7002
2N7002
0.01
µ
F
C
L
C
U
+5v 或者 +12v
+12V
HIP660X
+5v 或者 +12v
图示 1. 电源 消耗 vs 频率
1000
800
600
400
200
0 500 1000 1500 2000
电源 (mw)
频率 (khz)
C
U
= c
L
= 3nf
vcc = pvcc = 12v
C
U
= c
L
= 1nf
C
U
= c
L
= 2nf
C
U
= c
L
= 4nf
C
U
= c
L
= 5nf
图示 2. 3nf 加载 profile
1000
800
600
400
200
0 500 1000 1500 2000
电源 (mw)
频率 (khz)
C
U
= c
L
= 3nf
vcc = pvcc = 12v
C
U
= 3nf
C
U
= 0nf
C
L
= 0nf
C
L
= 3nf
hip6601a, hip6603a, hip6604

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7 是执行至确保 safe 运作在这 desired 频率为这选择 mosfets. 这电源 dissipated 用这驱动器是近似作: 在哪里 f sw 是这切换频率的这 pwm 信号. v U 和 v L 代表这 upper 和更小的门栏杆电压. q U 和 q L 是这 upper 和更小的门承担决定用场效应晶体管选择和任何外部电容增加至这门管脚. 这 i DDQ V CC 产品是这安静的电源的这驱动器和是典型地 30mw. 这电源消耗 approximation 是一个结果的电源 transferred 至和从这 upper 和更小的门. 但是, 这内部的自举设备也 dissipates 电源在-碎片在这 refresh 循环. expressing 这个电源在条款的这 upper 场效应晶体管总的门承担是 explained 在下. 这自举设备 conducts当这更小的场效应晶体管或者它的身体二极管 conducts 和 pulls 这阶段 node 对着地. 当这自举设备conducts, 一个电流 path 是 formed 那 refreshes 这自举电容. 自从这 upper 门是驱动一个场效应晶体管, 这承担移除从这自举电容是相等的至这总的门承担的这场效应晶体管. 因此, the refresh 电源必需的用这自举电容是 equivalent 至这电源使用至承担这门电容的这场效应晶体管. 在哪里 q 丧失是这总的承担 removed 从这自举电容和提供至这 upper 门加载. 这 1.05 因素是一个纠正因素获得从这下列的描绘. 这根基电路为 characterizing 这驱动器为不同的 loading profiles 和发生率是提供. c U 和 c L 是这 upper 和更小的门加载电容. 解耦电容 [0.15 µ f] 是增加至这 pvcc 和 vcc 管脚. 这自举电容值是 0.01 µ f. 在图示 1, c U 和 c L 值是这一样和频率是 varied 从 50khz 至 2mhz. pvcc 和 vcc 是系一起至一个 +12v 供应. 曲线做超过这 800mw 截止, 但是持续的运作在之上这个要点是不推荐. 图示 2 显示这消耗在这驱动器和 3nf 加载在两个都门和各自 individually. 便条这高等级的 upper 门电源消耗这个是预定的至这自举设备 refresh 循环. 又一次 pvcc 和 vcc 是系一起和至一个 +12v 供应. 测试电路这 impact 的加载在电源消耗是显示在图示 3. 频率是使保持常量当这门电容是 varied 从 1nf 至 5nf. vcc 和 pvcc 是系一起和至一个 +12v 供应. 计算数量 4 通过 6 显示这一样描绘为这 hip6603a 和一个 +5v 供应在 pvcc 和 vcc 系至一个 +12v 供应. p1.05f sw 3 2 --- V U Q U V L Q L +   I DDQ V CC += P REFRESH 1 2 --- f SW Q 丧失 V PVCC 1 2 --- f SW Q U V U == 激励 UGATE 阶段 LGATE PWM PVCC 地 VCC 0.15 µ F 0.15 µ F 100k Ω 2N7002 2N7002 0.01 µ F C L C U +5v 或者 +12v +12V HIP660X +5v 或者 +12v 图示 1. 电源消耗 vs 频率 1000 800 600 400 200 0 500 1000 1500 2000 电源 (mw) 频率 (khz) C U = c L = 3nf vcc = pvcc = 12v C U = c L = 1nf C U = c L = 2nf C U = c L = 4nf C U = c L = 5nf 图示 2. 3nf 加载 profile 1000 800 600 400 200 0 500 1000 1500 2000 电源 (mw) 频率 (khz) C U = c L = 3nf vcc = pvcc = 12v C U = 3nf C U = 0nf C L = 0nf C L = 3nf hip6601a, hip6603a, hip6604

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