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这 自举 设备 conducts 当 这 更小的 场效应晶体管 或者
它’s 身体 二极管 conducts 和 pulls 这 阶段 node 对着
地. 当 这 自举 设备 conducts, 一个 电流 path 是
formed 那 refreshes 这 自举 电容. 自从 这
upper 门 是 驱动 一个 场效应晶体管, 这 承担 移除 从
这 自举 电容 是 相等的 至 这 总的 门 承担
的 这 场效应晶体管. 因此, 这 refresh 电源 必需的 用 这
自举 电容 是 相等的 至 这 电源 使用 至
承担 这 门 电容 的 这 场效应晶体管.
在哪里 Q
丧失
是 这 总的 承担 移除 从 这 自举
电容 和 提供 至 这 upper 门 加载.
这 1.05 因素 是 一个 纠正 因素 获得 从 这
下列的 描绘. 这 根基 电路 为 characterizing
这 驱动器 为 不同的 加载 profiles 和 发生率 是
提供. c
U
和 c
L
是 这 upper 和 更小的 门 加载
电容. 解耦 电容 [0.15
µ
F] 是 增加 至 这
pvcc 和 vcc 管脚. 这 自举 电容 值 是
0.01
µ
f.
在 图示 1, c
U
和 c
L
值 是 这 一样 和 频率
是 varied 从 50khz 至 2mhz. pvcc 和 vcc 是 系
一起 至 一个 +12v 供应. 曲线 做 超过 这 800mw
截止, 但是 持续的 运作 在之上 这个 要点 是 不
推荐.
图示 2 显示 这 消耗 在 这 驱动器 和 3nF 加载
在 两个都 门 和 各自 individually. 便条 这 高等级的 upper
门 电源 消耗 这个 是 预定的 至 这 自举 设备
refresh 循环. 又一次 PVCC 和 VCC 是 系 一起 和 至
一个 +12v 供应.
测试 电路
这 impact 的 加载 在 电源 消耗 是 显示 在
图示 3. 频率 是 使保持 常量 当 这 门
电容 是 varied 从 1nf 至 5nf. vcc 和 pvcc 是
系 一起 和 至 一个 +12v 供应. 计算数量 4 通过 6
显示 这 一样 描绘 为 这 hip6603 和 一个 +5v
供应 在 pvcc 和 vcc 系 至 一个 +12v 供应.
自从 两个都 upper 和 更小的 门 电容 能 相异,
图示 7 显示 消耗 曲线 相比 更小的 门
电容 和 upper 门 电容 使保持 常量 在
三 不同的 值. 这些 曲线 应用 仅有的 至 这
hip6601 预定的 至 电源 供应 configuration.
P
REFRESH
1
2
---
f
SW
Q
丧失
V
PVCC
1
2
---
f
SW
Q
U
V
U
==
激励
UGATE
阶段
LGATE
PWM
PVCC
地
VCC
0.15
µ
F
0.15
µ
F
100k
Ω
2N7002
2N7002
0.01
µ
F
C
L
C
U
+5v 或者 +12v
+12V
HIP660X
1000
800
600
400
200
0 500 1000 1500 2000
电源 (mw)
频率 (khz)
C
U
= c
L
= 3nf
pvcc = vcc = 12v
C
U
= c
L
= 1nf
C
U
= c
L
= 2nf
C
U
= c
L
= 4nf
C
U
= c
L
= 5nf
图示 1. 电源 消耗 vs 频率
1000
800
600
400
200
0 500 1000 1500 2000
电源 (mw)
频率 (khz)
C
U
= c
L
= 3nf
pvcc = vcc = 12v
C
U
= 3nf
C
L
= 3nf
图示 2. 3nf 加载 profile
hip6601, hip6603
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