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资料编号:38053
 
资料名称:2N5102
 
文件大小: 245.31K
   
说明
 
介绍:
silicon transistors UHF/VHF power transistors
 
 


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msc1304.pdf 10-25-99
2N5109
电的 规格 (tcase = 25
°
c)
静态的
(止)
标识 测试 情况
最小值 典型值 最大值 单位
bvceo(sus) 集电级-发射级 sustaining 电压
(ic=5.0madc, ib=0) 20 - - Vdc
bvcer(sus) 集电级-发射级 sustaining 电压
(ic = 5.0madc, rbe = 10 ohms) 40 - - Vdc
ICEO 集电级 截止 电流
(vce = 15vdc, ib = 0) - - 20
µ
一个
IEBO 发射级 截止 电流
(veb = 3.0vdc, ic = 0) - - 100
µ
一个
(在)
HFE 直流 电流 增益
(ic = 360madc, vce = 5.0vdc)
(ic = 50madc, vce = 15.0vdc)
5
40
-
-
-
120
-
-
动态
标识 测试 情况
最小值 典型值 最大值 单位
f
T
电流-增益 - 带宽 产品
(ic = 50madc, vce = 15vdc, f = 200 mhz) - 1200 - MHz
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